AOS的MRigidCSP技术专为高效便携设备电池管理设计

在如今便携式设备繁荣发展的时代，如何制造出更为小巧、高性能以及更为安全的设备，成为了摆在各大厂商面前的难题。而这个问题的答案，或许就隐藏在Alpha and Omega Semiconductor（AOS）的最新技术——MRigidCSP之中。

AOS的MRigidCSP技术是一种专为电池管理应用而生的创新技术，主要应用于AOCR33105E这款产品上。AOCR33105E是一款12V共漏极双N沟道MOSFET，其独特的紧凑型设计（2.08×1.45mm）和超低的导通电阻（VGS=3.8V时低至2.5mΩ）使其在电池管理应用中表现出色。更为值得一提的是，它还具有HBM class 2(2kV)的超强ESD保护特性，能够在严苛的环境中保持稳定的性能。

与传统晶圆级芯片封装不同，MRigidCSP技术将机械应力和电气特性两种性能分开来考虑，使得两者都同时达到最优的性能。AOS MOSFET 产品线资深市场总监Peter Wilson在接受采访时表示：“AOS的MRigidCSP技术是一种面向锂电池应用管理的双向MOSFET创新型技术，适用于智能手机、平板电脑和超薄笔记本电脑等移动设备。”

AOS的MRigidCSP技术采用了薄晶圆工艺，降低了共漏MOSFET的寄生电阻，从而提高了充电速度，减少了额外热量的产生，避免了损坏电池和其他元件。这种封装技术满足了快速充电的应用中对于轻量化、高性能、双向MOSFET的持续增长的需求，将机械应力性能与电气性能分离，从而获得最好的效果。

在手机和笔记本电脑等消费电子体系中，保护电路模块(PCM)作为关键组件被用于管理锂离子电池组的充电和放电。PCM由电池保护IC、功率MOSFET等其他电子元件组成。在PCM中采用了两个功率MOSFET：一个用于充电，另一个用于放电。出于降低导通电阻的考虑，这些MOSFET通常选用N沟道MOSFET。两个MOSFET可以两种方式串联：

配置1：两个MOSFET的漏极相连

配置2：两个MOSFET的源极相连

PCM 提供两种功率MOSFET与电池串联的选择：

低端放置：功率MOSFETs位于电池的负极，通常称为“电线接地端”。优缺点兼具，取决于实际系统要求。

高端放置：功率MOSFETs位于电池的正极，这称为“高边”配置。优缺点兼具，取决于实际系统要求不同的功率MOSFET背靠背连接模式以及布局方式的选择，需要根据系统的具体要求而决定，系统设计、安全考虑和能效目标等因素都将影响设计方案。总之，PCM是确保消费电子产品中锂离子电池组正常工作并提供保护的关键部件。

在便携式设备中，电池管理是一个重要的环节。传统的 WLCSP会产生较大电阻，尤其是在使用背靠背 MOSFET时。单纯为降低电阻而减小衬底厚度可能会影响机械强度，从而PCB组装回流焊过程中产生问题。AOS 的MRigidCSP技术专门面向这类问题设计，可同时提高电气性能和封装鲁棒性。它兼容高深宽比 CSP裸片，解决了与电池管理应用相关的生产问题。AOCR33105E 采用最新沟槽功率MOSFET技术设计，这种先进的封装结构可确保高强度的电池 MOSFET 在电路板制造过程中保持一定弹性，从而提高性能及可靠性。

通过采用薄晶圆工艺，MRigidCSP降低了共漏MOSFET的寄生电阻。电阻的降低不仅能提高充电速度，还能确保MOSFET产生更少额外热量，从而避免损坏电池和其他元件。较低的电阻可延长电池在两次充电之间的续航时间，这对消费者来说是一个极大的福音。因此，AOS的MRigidCSP技术无疑为便携式设备的电池管理提供了一种高效、安全的解决方案。

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