ST 推出 MasterGaN7 集成功率器件，GaN 半桥方案助力高频电源升级

意法半导体持续扩充 MasterGaN 集成氮化镓器件产品线，正式发布 MasterGaN7。这款器件内置 6A、650V 增强型 GaN 晶体管，采用半桥架构，集成高压高频栅极驱动器，面向充电器、适配器、工业照明、光伏微型逆变器等场景，帮助电源设计提升能效与功率密度。

集成化 SiP 架构，引脚兼容原有产品

MasterGaN7 为系统级封装方案，两颗 650V GaN 管组成半桥拓扑，搭配高压栅极驱动器封装于 9mm×9mm QFN 封装内，引脚定义与同系列 MasterGaN 器件保持兼容，便于工程师在原有设计基础上迭代升级。依托新一代 GaN 工艺，器件开关速度更快，转换效率进一步提升。 本次新品新增集成 LDO 稳压器，专门稳定栅极驱动电压，规避 GaN 驱动电压波动带来的稳定性隐患；同时增加独立引脚控制关断模式，搭配超快速唤醒特性，可有效压低轻载、空载状态功耗，适配各类需要低待机能耗的电源系统。

最高 2MHz 开关频率，精简外围 BOM

器件驱动传播延迟 45ns，配合极短最小导通时间，支持最高 2MHz 高频开关。高频化带来的直接价值，是电感、电容等无源与磁性元件规格可以大幅缩减。整套方案仅需搭配少量外围元器件即可完成设计，有效压缩 PCB 面积、降低物料成本，提升整机功率密度。器件内部自带自举二极管，为高侧驱动供电，省去外部自举二极管设计。

多拓扑适配，内置多重安全防护

MasterGaN7 可覆盖主流高压电源拓扑，包括有源钳位反激、非对称半桥、LLC 谐振变换器、图腾柱 PFC、DC-AC 逆变等，适配快充、工业电源、光伏逆变器等多样化需求。 芯片内置完善保护机制：桥臂直通互锁保护、欠压锁定 UVLO、过热关断，降低调试风险，提升系统可靠性。器件工作温度区间覆盖 - 40℃~125℃，满足工业环境严苛温度要求，目前已经实现量产交付。

简化 GaN 开发门槛，加速高频电源落地

分立 GaN 方案往往面临驱动匹配、环路调试、EMI 优化等诸多难题，MasterGaN 系列把功率管、驱动、保护电路一体化封装，大幅降低 GaN 电源的开发门槛。MasterGaN7 的推出，进一步丰富了 ST 中功率氮化镓方案矩阵，兼顾高频、高效率、低待机功耗三大诉求。在快充、光伏、工业照明等市场持续追求小型化、高能效的趋势下，该器件为电源工程师提供高集成、易复用的高频半桥方案。

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