做低待机 PD 快充这款集成 GaN SiP 芯片方案怎么选？代理提供样片测试+技术支持

在 USB PD 快充适配器开发中，工程师常面临器件数量多、环路补偿外围元件繁杂、空载功耗超标、EMI 调试难度大等痛点。瑞萨 RRW22111 是一款 SiP 系统级封装器件，内部集成 700V SuperGaN® 功率管 + AC/DC 数字反激初级控制器，适配 SSR 次级侧调节架构，可实现接近零待机功耗的快充方案，非常适合 45~65W USB PD 充电器设计。

核心方案原理与关键性能

RRW22111 采用瑞萨专利恒频准谐振 QR 开关，搭配自适应多模式控制 MMC，自动切换 PWM、PFM、Burst 突发模式，在转换效率、EMI 噪声、音频噪音三者之间取得平衡。 器件推荐搭配瑞萨次级侧控制器 iW780/iW610 或 RRW30110/RRW43010 组成完整芯片组，集成 SSR 次级调节与 SR 同步整流，原生支持 USB PD3.2 PPS 可编程电源。整套方案搭载数字 SSR 补偿，无需外部环路补偿器件，大幅简化 BOM。 实测在搭配 iW780 搭建 PD 旅行适配器时，拔线后空载功耗可做到 5mW 以内。内置 700V、150mΩ SuperGaN FET，GaN 工艺通过 JEDEC 可靠性认证，栅极驱动专门针对 GaN 器件优化，最高开关频率可达 270kHz。

方案特色与保护机制

该 SiP 方案支持单层 PCB 布局，可缩减 PCB 面积、降低制版成本；采用双极性辅助绕组电压检测，优化 EMI 表现，降低变压器设计难度。 保护机制齐全，内置上电软启动、掉电保护、输出短路 / 过压保护、光耦失效保护，OTP 过热保护阈值支持用户自定义配置。自适应 CCM/QR 模式切换，有效抑制轻载音频噪声，全负载区间维持较高电源转换效率。

典型应用场景

RRW22111+iW780 芯片组主力用于 45W~65W 手机、平板、笔记本 USB PD 快充旅行适配器。同时也可用于电视、网络通信设备、家电辅助电源单元。除此之外该 GaN 技术体系同样可落地在 6.6kW 单级车载 OBC、集成式电动汽车动力总成单级车载充电机等大功率车载电源。

RRW22111典型应用电路图

下图是RRW2211x 与iW610和iW780的单端口充电器典型应用电路和RRW2211x 采用RRW43010和iW780的典型应用电路，用于单端口充电器

FAQ

Q1：RRW22111 是什么类型芯片，内部集成哪些模块？ 

A1：属于 SiP 系统级封装产品，集成 700V SuperGaN FET + AC/DC 数字反激初级控制器，采用 SSR 次级侧调节架构。

Q2：RRW22111 推荐搭配哪些次级侧控制器？ 

A2：推荐搭配 iW780、iW610，或是 RRW30110、RRW43010，整套芯片组支持 USB PD3.2 PPS。

Q3：这套 PD 方案空载功耗能做到多少？ 

A3：RRW22111 搭配 iW780 设计 PD 适配器，拔除 USB 线缆后空载功耗可控制在 5mW 以下。

Q4：MMC 多模式控制带来什么工程价值？ 

A4：自动切换 PWM/PFM/Burst 模式，兼顾满载效率、轻载 EMI，消除音频噪声，适配宽负载范围。

Q5：SSR 数字补偿技术有什么优势？ 

A5：省去外部环路补偿元件，简化 BOM，在全工况下保证电源环路稳定，减少调试工作量。

Q6：RRW22111 内置哪些保护功能？ 

A6：上电软启动、掉电保护、输出短路、输出过压、光耦失效保护，并且 OTP 阈值支持用户调节。

Q7：RRW22111 主要适配多大功率快充？ 

A7：典型用于 45W 至 65W PD 快充适配器，也可拓展到其他中小功率家电、网络设备辅助电源。

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