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电源架构持续朝着小型化、高能效方向迭代,传统硅基功率器件在低压大电流场景下,逐步遇到导通损耗、开关速度与散热设计瓶颈。意法半导体推出100V PowerGaN 氮化镓器件,把 GaN 的高性能优势引入低压功率转换赛道,面向对转换效率、开关速率与热管理指标要求严苛的紧凑型电源系统,为硬件工程师提供全新器件选型方案。
100V PowerGaN 充分发挥氮化镓高开关速度、低导通电阻的核心特性,助力电源设计缩减整机体积、降低重量,同时减少能量损耗。在空间紧张、能耗约束严格的设备中,能够实现更高功率密度的电源方案。该系列器件重点面向三大高增长赛道:AI 服务器与数据中心供电系统、大功率智能充电器与电源适配器、人形机器人动力电源模块。
意法半导体推出两款 100V 增强型 PowerGaN 晶体管,采用优化的 En-FCLGA 封装,针对不同功率等级与板卡空间限制做产品划分。 SGT1D5R10MEA:耐压 100V,典型导通电阻 1.1mΩ,连续电流规格 474A,封装为 En-FCLGA 5×6。这款器件导通电阻极低,承载大电流能力突出,适合大电流、高功率密度的电源拓扑,可用于 AI 服务器多相供电、大功率主电源转换,在大电流工况下压低导通损耗,缓解散热压力。

SGT3D5R10MEB:耐压 100V,典型导通电阻 2.9mΩ,连续电流 201A,采用更小尺寸 En-FCLGA 3.3×3.3 封装。紧凑封装节省 PCB 布板面积,适配空间受限场景,例如人形机器人动力单元、小型大功率适配器,在有限空间内实现功率转换。
两款器件均为增强型 GaN,便于驱动电路设计,适配主流电源控制架构。依托 GaN 材料本身的快速开关特性,能够提升电源开关频率,缩小无源器件体积,助力电源整机小型化。
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AI 数据中心服务器供电属于典型低压大电流场景,多相 Buck 转换器需要持续承载大电流,降低损耗、控制温升是核心难点。100V PowerGaN 凭借极低 Rds (on),减少导通损耗,提升电源转换效率,降低散热成本,助力服务器电源实现更高功率密度。
消费端大功率快充、工业智能适配器场景,小型化是产品核心卖点。更高开关频率可减小电感、电容尺寸,让充电器更加轻薄。人形机器人内部空间紧凑,多路动力电源对器件体积、发热控制要求苛刻,小封装 SGT3D5R10MEB 可以很好适配机器人关节电源等紧凑供电单元。
硅器件在低压大功率领域的性能天花板逐步显现,100V PowerGaN 是意法半导体面向低压功率转换市场的重要布局。SGT1D5R10MEA 与 SGT3D5R10MEB 形成高低电流、大小封装的产品组合,覆盖 AI 服务器、快充适配器、人形机器人等热门应用。借助氮化镓的高速开关与低导通损耗优势,帮助工程师在有限空间内构建高效率、轻量化电源系统,推动下一代低压功率转换技术落地。