ADI GaN 电源控制器矩阵，释放宽禁带技术设计潜能

氮化镓凭借开关速度、转换效率与功率密度方面的突出优势，正在重塑工业、数据中心、可再生能源等领域电源架构。但 GaN 器件对栅极驱动、死区时序、自举保护提出特殊约束，直接沿用传统硅基控制器会带来稳定性隐患。ADI 推出多款针对性优化的电源控制器，降低 GaN 工程落地门槛，帮助设备实现小型化与能效升级。

LT7930：72V 可并联四开关升降压控制器

LT7930 面向 48V 分布式供电、电池备份系统，属于兼容 GaN‑FET 与硅 MOSFET 的四开关升降压控制器，支持输入电压高于、等于、低于输出电压的全工况无缝平滑切换。器件采用恒频峰值电流模式，开关频率最高可达 1MHz，支持多芯片并联多相扩流，满足大功率系统需求。 芯片具备可编程输入、输出电流环路，可适配电池充电场景；死区时间通过外部电阻 0‑100ns 连续可调，兼顾 GaN 短死区、硅 MOSFET 长死区的差异化需求。输出电压精度 ±1%，采用 7mm×7mm LFCSP 高压合规封装。配套 EVAL‑LT7930‑AZ 评估板，双芯片并联方案可实现最高 4kW 输出，满载效率突破 98%，大幅缩短开发者样机验证周期。

LTC7892：双路两相同步升压 GaN 控制器

LTC7892 是专为 GaN 功率管优化的双通道升压控制器，输出电压最高可达 100V。针对 GaN 应用常见的自举过充风险，芯片内置智能自举开关，规避高端栅极驱动过压损坏器件，省去外部保护二极管等外围元件，简化 BOM 清单Analog Dev...。 支持外部电阻灵活调校死区时序，适配高频工作，开关频率区间 100kHz‑3MHz。器件拥有低静态电流特性，采用 6mm×6mm 侧可焊 QFN 封装，适配工业、医疗、通信电源升压类功率变换设计。

LTC7890：双路两相同步降压 GaN 控制器

LTC7890 为双通道同步降压控制器，最高承受 100V 输入电压，同样搭载智能自举保护机制，解决 GaN 栅极驱动的固有难题。芯片内置智能近零死区时序，工程师也可外接电阻自定义时序参数，在高频运行条件下保障转换效率与器件安全Analog Dev...。 无需额外增设钳位、自举保护二极管，减少外围器件数量。可编程开关频率覆盖 100kHz‑3MHz，适合多路输出工业电源、大功率负载点供电，为高密度电源方案提供可靠硬件基础。

完整工具链，加速方案落地

三款器件并非孤立芯片，ADI 配套 LTspice 仿真模型、硬件评估板，同时发布《低压 GaN 转换器栅极驱动和测量》技术文档，解析 GaN 驱动的关键设计要点。从仿真建模、硬件调试到理论参考，形成完整开发支撑体系。

面向工业、数据中心、医疗、新能源设备，ADI 这套差异化控制器矩阵，覆盖升降压、升压、降压主流拓扑，兼顾硅管与氮化镓器件，让宽禁带技术的性能优势真正转化为终端产品竞争力。

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