NSV40302PDR2G：双NPN中等功率晶体管 附引脚图

NSV40302PDR2G是ON Semiconductor（安森美）一款双NPN中等功率晶体管，采用SOIC-8（NB）封装，专为高密度、高可靠性应用设计。该器件将两个独立的NPN晶体管集成于单一封装内，适用于电源管理、电机驱动、LED驱动和开关应用，特别适合空间受限的电路板布局。

封装与引脚配置

器件采用8引脚SOIC-8 NB封装（CASE 751-07），尺寸为5.00mm × 3.80mm × 1.75mm（最大），引脚间距1.27mm，符合工业标准，便于自动化贴装。引脚1至4对应第一个晶体管，引脚5至8对应第二个晶体管，共享封装内部热路径，确保两个器件温度特性一致。

极限参数与热性能

电压额定值：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO为40V，集电极-基极V(BR)CBO为40V，发射极-基极V(BR)EBO为6V。

电流能力：连续集电极电流IC最大2A，脉冲电流更高。

工作温度：结温和存储温度范围为-55°C至+150°C。

热阻特性：热阻RθJA（结到环境）随PCB铜箔面积显著变化：

10mm²、1oz铜（静止空气）：217°C/W

100mm²、1oz铜（静止空气）：185°C/W

双器件加热（总功率）：191°C/W（10mm²）或160°C/W（100mm²） 建议在100mm²铜箔上使用以优化散热。

直流与开关特性

电流增益（hFE）：在VCE=2V条件下，IC=10mA时hFE最小200；IC=500mA时最小200；IC=1A时最小180；IC=2A时最小180。典型值在320至400之间，提供高增益和稳定放大能力。

饱和压降：

VCE(sat)：IC=1A、IB=0.1A时，典型值44mV，最大60mV；IC=2A、IB=0.2A时，典型值82mV，最大115mV。

VBE(sat)：IC=1A、IB=0.01A时，典型值780mV，最大900mV。

开关速度：在VCC=30V、IC=750mA、IB1=15mA条件下：

开通延迟td：≤100ns

上升时间tr：≤100ns

存储时间ts：≤780ns

关断延迟tf：≤110ns 快速开关特性适用于高频PWM控制。

其他关键参数

截止频率（fT）：IC=100mA、VCE=5V时，最小100MHz，支持中高频应用。

漏电流：VCB=40V时，ICBO≤0.1μA；VEB=6V时，IEBO≤0.1μA，确保低静态功耗。

电容：f=1MHz时，输入电容Cibo典型值320pF（最大450pF），输出电容Cobo典型值40pF（最大50pF）。

NSV40302PDR2G引脚图

应用设计要点

并联使用：双晶体管可并联以提升电流能力，但需注意均流和热耦合。

基极驱动：需提供足够基极电流（IB ≥ IC / hFE）确保饱和，避免工作在线性区导致过热。

PCB布局：建议使用100mm²以上铜箔散热，优化热性能。避免高阻抗基极走线，防止振荡。

安全工作区（SOA）：参考数据手册SOA曲线，确保瞬态电压电流不超出安全范围，尤其在感性负载开关时。

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