LTC7891：面向GaN的高压降压控制器 附引脚图及典型应电路图

LTC7891是Linear Technology（现为ADI公司）一款专为驱动全N通道氮化镓（GaN）FET功率级而优化的高性能降压DC/DC开关稳压器控制器，支持高达100 V的输入电压。ADI代理、原厂货源 - 深圳市中芯巨能电子有限公司为您提供LTC7891：技术参数详解、引脚图、典型应电路图及现货。

LTC7891技术参数详解

专为GaN优化的驱动架构

与硅MOSFET不同，GaN FET对栅极驱动电压、时序精度和过压保护极为敏感。LTC7891通过其专有的GDN驱动器技术，从架构层面优化了GaN应用的可靠性与效率。

其内部集成的智能自举开关可防止在死区时间内BOOST引脚至SW引脚之间的高端驱动电源过度充电，有效避免顶部GaN FET栅源电压（VGS）超过其最大额定值（通常为6 V），从而消除外部箝位二极管或环流电路的需求。

智能死区时间控制

LTC7891在内部优化了上下管开关边沿的栅极驱动时序，实现智能近零死区时间（Smart Near-Zero Dead Time），最大限度减少体二极管导通损耗，提升转换效率。这一特性在高输入电压、低占空比应用中尤为关键，可显著降低热损耗。

同时，设计人员也可通过外部电阻手动调节死区时间，用于系统裕量测试或特定应用的时序定制，兼顾效率与可靠性。

可编程栅极驱动与系统灵活性

LTC7891提供4 V至5.5 V范围内精确可调的栅极驱动电压（VGATE），可通过外部电阻分压器设置。这一特性不仅适用于不同阈值电压的GaN FET，还可兼容逻辑电平硅MOSFET，增强了方案的通用性。

其分流输出栅极驱动器支持可调的开通/关断驱动强度，允许设计人员优化开关速度与EMI之间的平衡。此外，UVLO（欠压锁定）阈值也可通过外部电阻调节，实现灵活的电源序列控制。

关键性能参数

输入电压范围：4 V 至 100 V

输出电压范围：0.8 V 至 60 V

开关频率：100 kHz 至 3 MHz（可编程）

频率同步：支持外部时钟锁相（PLLIN）

展频调制（SSFM）：可选，用于降低EMI

静态电流：低至5 μA（轻载待机模式）

封装：28引脚、4 mm × 5 mm 侧面可湿性QFN（LQFN），便于光学检测与高密度布局

LTC7891引脚图

LTC7891典型应用电路图

典型应用

LTC7891适用于对效率、功率密度和可靠性要求严苛的应用场景：

工业电源系统：如PLC、电机驱动器、工业自动化设备

电信与数据中心电源：中间母线转换、PoE++供电

军事与航空电子：宽输入电压、高可靠性电源

医疗系统：需要低噪声、高稳定性的电源模块

设计优势与外围简化

得益于其高度集成的设计，LTC7891无需外部保护二极管、阴极负载或复杂的栅极驱动电路，大幅减少外围元件数量，降低BOM成本与PCB面积。其宽输入电压范围和高开关频率能力，使其在高降压比应用中仍能保持高效率。

LTC7891订购料号

LTC7891RUFDM#TRPBF

LTC7891RUFDM#PBF

LTC7891RUFDM#WTRPBF

LTC7891RUFDM#WPBF

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