【现货供应】IGL65R080D2：高频GaN功率晶体管 附引脚图

IGL65R080D2是英飞凌一款基于CoolGaN™ G5技术的650V增强型（e-mode）氮化镓（GaN）功率晶体管，专为高频率、高效率电源转换应用设计。作为符合JEDEC可靠性标准（JESD47、JESD22）的高性能器件，该产品在开关性能、热管理与系统鲁棒性方面表现卓越，适用于对尺寸、效率和功率密度要求严苛的现代电源系统。来自全球授权的英飞凌代理商、原厂货源-深圳市中芯巨能电子有限公司为您提供IGL65R080D2：参数规格、引脚图及现货。

IGL65R080D2参数规格详解

核心电气特性

IGL65R080D2具备出色的动态参数，显著降低开关损耗，提升高频工作下的整体效率：

低导通电阻：典型RDS(on)为80mΩ，减少传导损耗；

超低寄生电荷：低栅极电荷（Qg）和低输出电荷（Qoss），缩短开关时间，支持MHz级开关频率；

无反向恢复电荷（Qrr = 0）：得益于GaN材料特性，体二极管无反向恢复电流，消除关断尖峰和相关损耗，简化死区时间设计；

可反向导通：支持双向电流流动，适用于图腾柱PFC等先进拓扑；

低动态RDS(on)：在高频硬开关条件下仍保持稳定的导通特性，避免传统GaN器件常见的“current collapse”效应。

此外，器件具备卓越的换向坚固性（commutation ruggedness），在高dV/dt环境下可靠运行，适用于LLC、软开关及谐振变换器架构。

封装与热设计

采用底部冷却ThinPAK封装，该封装具有以下优势：

热路径直接从芯片底部传导至PCB，实现高效散热；

封装高度仅约1mm，适合超薄设计，如USB-C充电器、笔记本适配器等消费类应用；

引脚布局优化，减小寄生电感，提升开关速度并降低EMI风险；

符合JEDEC标准，确保长期可靠性与量产一致性。

该封装无需额外绝缘垫片即可实现良好热耦合，简化散热设计，尤其适用于多管并联或高功率密度布局。

可靠性与保护特性

高ESD耐受能力：2kV HBM（人体模型）和1kV CDM（器件充电模型），增强生产与现场操作中的抗静电能力；

基于英飞凌成熟的CoolGaN™ G5工艺平台，通过严格的质量认证，确保高温高压下的长期稳定性；

器件经过完整热循环与HTGB（High Temperature Gate Bias）测试，满足工业与数据中心级应用要求。

IGL65R080D2典型应用场景

USB-C PD适配器与快充：支持65W及以上高功率密度设计，实现小型化、高效能充电解决方案；

数据中心与AI服务器电源：用于48V中间母线转换、VRM前端AC-DC模块，提升能效，降低散热需求；

电信基础设施电源：在AC-DC整流与DC-DC前级中替代硅基MOSFET，提高系统效率与功率密度；

工业电源与高端计算设备：适用于高可靠性、高效率电源模块设计。

IGL65R080D2引脚图

深圳市中芯巨能电子有限公司现货供应IGL65R080D2，原厂代理授权，100%原装正品，如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。24小时采购热线：133-1083-0171。