AOZ5310NQI-A：18V/60A高效DrMOS模块 代理现货供应 附典型应用电路图

在服务器电源、通信基站和数据中心等高密度功率转换场景中，同步降压转换器的效率与功率密度直接决定系统性能。AOS推出的AOZ5310NQI-A是一款高效率同步降压功率级模块，内部集成两个非对称式MOSFET与集成驱动器，为工程师提供高度集成的功率级解决方案。

产品描述

AOZ5310NQI-A专为高性能同步降压应用设计，采用QFN5x5-31L紧凑封装。上管MOSFET针对低电容和低栅极电荷优化，适合低占空比高速开关；下管MOSFET实现超低导通电阻，最大限度降低导通损耗。支持2.5V至18V宽输入电压范围，连续输出电流达60A，脉冲电流可达120A，开关频率最高2MHz。

核心特性

卓越效率：VOUT=0.9V、VIN=12V、Fsw=500kHz条件下效率超94%。灵活模式：SMOD#引脚可切换CCM和二极管仿真模式，轻载效率更优。完善保护：内置UVLO和过热预警（THWN引脚），集成Bootstrap二极管。高速驱动：集成大电流高速栅极驱动器，内置防直通保护。兼容3V/5V逻辑：PWM输入兼容3V和5V CMOS电平，支持Tri-State控制。

关键参数

输入电压：2.5V~18V

驱动供电： 4.5V~5.5V

连续输出电流： 60A

脉冲电流(10ms/1ms) ：80A/120A

热阻RθJC： 2.5°C/W

开关频率 ：最高2MHz

工作温度： -40°C~125°C

封装： QFN5x5-31L

AOZ5310NQI-A典型应用电路图

AOZ5310NQI-A引脚图

应用领域

AOZ5310NQI-A广泛应用于内存与显卡供电（GPU显存降压）、主板VRM（CPU核心供电）、点负载DC-DC转换器、通信设备和工业控制器的板载电源模块等高密度电源系统。

使用注意事项

1.输入旁路电容CIN应靠近VIN和PGND引脚放置，最小化高频开关环路。

2.QFN封装散热焊盘下方需铺设大面积铜箔并增加10mil散热过孔。

3.PVCC需提供独立5V驱动电源，并放置1µF去耦电容。

4.BOOT和PHASE引脚间连接100nF陶瓷电容，尽量靠近芯片。

5.SMOD#悬空时内置下拉电阻默认CCM模式，不需二极管仿真模式时接高电平

AOZ5310NQI-A以18V宽输入、60A大电流和94%超高效率，在同类DrMOS模块中表现卓越，是追求高效率、高功率密度电源设计的理想选择。

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