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AiP2103 是无锡中微爱芯推出的 650V 耐压、200mA 峰值电流半桥栅极驱动电路,专为 N 沟道功率 MOSFET 和 IGBT 器件驱动设计,具备高边悬浮自举、欠压保护、交叠导通保护等特性,封装有 SOP8/DIP8 两种形式。为保证器件稳定可靠工作,工程师在设计、焊接、应用调试过程中需遵循以下注意事项。

该器件高边最大耐压 650V,推荐栅驱动电源范围为 10~20V,高边浮动电源电压 VB 需控制在 Vs+10V 至 Vs+20V 之间,低边电源 VCC 推荐使用范围 10~25V,超出极限参数范围会直接造成器件损坏。逻辑输入兼容 3.3V、5V、15V 电平,输入高电平电压不低于 3V,低电平不高于 0.8V,设计时需保证输入电平匹配,避免逻辑识别错误。同时,器件功耗极限为 0.625W,应用中需做好散热设计,防止功耗过载。
AiP2103 为 8 引脚器件,各引脚功能区分明确,接线时需严格对应:1 脚 VCC 为低边电源、2 脚 HIN 为高边逻辑输入、3 脚 LIN 为低边逻辑输入、4 脚 COM 为低边地、5 脚 LO 为低边输出、6 脚 VS 为高边地、7 脚 HO 为高边输出、8 脚 VB 为高边电源。高边采用悬浮自举工作方式,需保证 VS 与 VB 的电位差符合要求,严禁将高低边电源、地引脚接反,否则会触发内部保护甚至烧毁器件。此外,器件内部设置固定死区时间(典型 560ns),接线时无需额外增加死区电路,避免影响驱动时序。

器件贮存温度范围为 - 55℃~150℃,需在干燥、无腐蚀性气体的环境中存储,防止引脚氧化。焊接时需严格控制温度与时间,DIP8 封装焊接温度不超过 250℃、SOP8 封装不超过 260℃,且单次焊接时间不超过 10 秒,采用波峰焊或回流焊时需做好温度曲线管控,避免高温损伤芯片内部结构。
器件内置欠压保护和交叠导通保护逻辑,欠压检测正阈值约 8V、负阈值约 9V,当 VCC 电压低于阈值时会触发保护,设计时需保证电源供电稳定,避免电压波动导致保护误触发。需注意该器件不适用于生命救援、生命维持、安全防护等关键设备,也不可用于器件故障可能引发人身伤害、严重财产或环境损害的场景,此类应用需客户自行承担风险。
测试与应用时,需遵循手册提供的测试线路和典型应用线路设计,输出端驱动容性负载时需匹配手册规定的电容参数(典型 1000pF)。器件静态漏电流极小,但若在 VB=VS=650V 高压工况下工作,需做好高压隔离设计,防止漏电引发电路故障。
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