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深圳市中芯巨能电子有限公司，成立于2010年，是一家集电子元器件代理商、产品方案开发和技术服务为一体的高科技企业，致力为客户提供可靠元器件、成本控制及方案解决。公司代理分销国内外品牌逾三百家，主要品牌有瑞萨电子、AOS、Altera、Xilinx、Microchip、Infineon、TI、ST、NXP、ON、ADI、中微爱芯、武汉芯源、中科芯、上海普冉、长电/长晶等 ，产品线包括现场可编程逻辑器件、数字信号处理器、微处理器、微控制器、单片机、场效应管、IGBT单管、碳化硅、 运放、存储、传感器、可控硅等以及其它被动元器件；为客户提供一站式解决方案。
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现场可编程门阵列（FPGA）长期以来为数字设计工程师提供了无与伦比的灵活性和快速实现定制逻辑的能力。然而，传统FPGA的设计复杂性、高昂的学习成本及较高的价格，使其在大规模应用中面临诸多挑战。瑞萨电子推出的ForgeFPGA系列，基于GreenPAK的成功模式，提供了一种全新的低密度FPGA解决...
在高功率密度和紧凑型PCB布局需求日益增长的背景下，表面贴装封装（SMT）的热管理变得至关重要。安森美推出的T2PAK封装，以其独特的散热机制和高效的电气性能，成为应对这一挑战的理想选择。本文将详细介绍T2PAK封装的机械结构、热性能优势及其在实际应用中的推荐布局。T2PAK封装的机械...
随着人工智能（AI）应用的迅猛发展，AI数据中心的能耗与电力需求波动成为新的挑战。为了应对这些挑战，数据中心对储能技术和芯片提出了更高的要求——不仅需要高功率密度，还需具备快速响应能力以应对瞬时负载激增。安森美通过其垂直整合的SiC产业链和先进的功率模块技术，为AI数据中心提...
在追求高功率密度和高转换效率的储能系统中，功率芯片的耐压、耐温和开关频率等关键性能指标至关重要。安森美通过材料创新、封装优化及系统级设计的协同突破，持续提升其EliteSiC系列功率芯片的核心性能，满足现代储能应用的严苛要求。材料创新：提升耐压与开关速度安森美的EliteSiC...
尊敬的客户：时序更替，华章日新，2026年春节将至，感谢您一直以来对中芯巨能的信任与支持！根据国家法定节假日安排，并结合公司实际经营情况，现将本次春节放假相关事宜通知如下，以便您合理安排业务对接：一、放假时间2026年2月11日（周三）至2026年2月24日（周二），共计14天。二、复工时间2026年2月25...
骏马踏春启新岁，同心聚力谱华章。2026年1月24日至25日，中芯巨能2025尾牙年会在广州市增城区麦客荔客精品民宿温情启幕，全体同仁暂别忙碌的工作节奏，以一场治愈身心的短途之旅，共赴团圆之约，共话往昔荣光，共启马年新程。这场以“骐骥开道，奋进新篇”为主题的盛会，不仅定格了无数温馨瞬间...
2026年1月23日上午，中芯巨能“韧行2025，智启2026——同心聚力，共赴新程”年度员工表彰大会在公司会议室隆重举行。全体同仁齐聚一堂，共同回顾2025年的拼搏历程，展望2026的发展蓝图，并对过去一年中表现突出的18位优秀员工予以隆重表彰。总结复盘，锚定方向会议伊始，管理层作年度工作总结...
2025年11月15日，秋意正浓，微风轻拂。中芯巨能的伙伴们暂别繁忙的工位，齐聚深圳罗湖·望桐露营地草坪区，开启了一场别开生面的户外草坪露营团建活动——“吹晚风、享轻松，共赴一场惬意的户外之约”。抽签组队，四色战队活力集结活动伊始，大家通过抽签随机分组，红队、蓝队、橙队、紫队迅...
达林顿管（Darlington Pair）和MOS管（MOSFET）都是常用的功率放大或开关器件，但二者在结构、驱动方式、性能特性和应用场景上存在本质差异。正确理解这些区别，有助于在电源、电机驱动、音频放大等设计中做出合理选型。1. 器件结构与工作原理达林顿管：由两个双极型晶体管（BJT）级联构成，前级...
在现代汽车电子系统中，电压基准芯片（Voltage Reference IC）作为高精度、低漂移的“电压标尺”，为各类传感器、控制器和电源管理单元提供稳定参考，是确保功能安全与测量准确性的基石。其应用贯穿动力总成、车身控制、高级驾驶辅助系统（ADAS）及新能源三电系统。1. 传感器信号调理汽车搭...
在功能安全（Functional Safety）系统开发中，集成电路（IC）的可靠性分析不仅关乎器件本身，更直接影响整个安全回路的完整性。IEC 61508、ISO 13849等标准明确要求系统集成商对IC及PCB的潜在硬件失效进行量化评估，而引脚级失效模式与影响分析（Pin-Level FMEA）正是实现这一目标的核心工具。A...
在功率放大与开关电路设计中，输入阻抗是决定驱动电路复杂度、功耗和信号完整性的重要参数。MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）与达林顿管（Darlington Pair）作为两类主流功率器件，其输入阻抗特性存在本质差异，直接影响系统架构选择。1. MOSFET：极高输入阻抗，近乎理想电压控制MOSFET...
MOSFET的安全工作区（Safe Operating Area, SOA）是其数据手册中定义的电压、电流、功率和时间组合的极限边界。它综合反映了器件在导通、关断及线性工作状态下的热与电应力承受能力。若在电路设计或测试中忽视SOA限制，将引发一系列严重后果，甚至导致系统灾难性失效。1. 热失控与二...
MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）因其高开关速度和低导通损耗，广泛应用于电源、电机驱动和UPS等系统。然而，在测试过程中若操作不当，极易导致误判或器件损坏。以下是测试MOSFET时需特别注意的常见问题：1. 静电放电（ESD）MOSFET栅极氧化层极薄，耐压通常仅±20V，人体静电（可达数千伏）可...
场效应管（MOSFET）广泛应用于UPS（不间断电源）的逆变器、PFC（功率因数校正）电路、电池充放电管理及理想二极管模块中，承担高频开关与功率传输任务。其性能优劣直接决定UPS的效率、温升、可靠性和动态响应能力。为确保其在严苛工业环境中长期稳定运行，需从以下方面进行系统性测试：1. 静态...
三端稳压器（如LM7805）虽结构简单，但其效率低、发热大，散热能力直接决定系统可靠性。而散热性能主要由封装类型和PCB设计共同决定。正确评估散热性能，可避免芯片过热关断或寿命缩短。1. 关键参数：热阻（θJA）热阻是衡量封装散热能力的核心指标，单位为℃/W，表示每瓦功耗引起的结温升高。常...
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