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16年300+全球知名电子元器件品牌代理分销经验
中微爱芯
中科芯(CKS)
芯源半导体
华普微电子
NXP恩智浦
AOS (万代)
Onsemi安森美
TI德州仪器
亚德诺ADI
英飞凌Infineon
ST意法半导体
Microchip微芯
Xilinx赛灵思
Renesas瑞萨
Intel/Altera
Atmel爱特梅尔
美信(Maxim)
华略微
普冉半导体
雅特力
屹晶微电子
Winbond华邦电子
长晶科技
润石RUNIC

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16年300+全球知名品牌电子元器件品牌代理分销经验

产品应用

覆盖多个领域,为您提供可靠元器件、成本控制及方案解决。

中芯巨能帮您解决芯片采购难题 为您提供省时、省心、省钱的一站式采购

01原厂优势渠道,常备现货,不怕比价

原厂代理授权。常备有Altera 、Xilinx、Microchip、Infineon、TI、ST、NXP、ON、ADI 、Maxim、I-CORE、CKS等,产品包括可编程逻辑器件、数字信号处理器、单片机微控制器、场效应管、IGBT单管、运放、存储、传感器等元器件。现货下单,2小时发货。

02提供免费样片测试、方案开发、技术支持

中芯巨能为终端客户提供免费样片测试。经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,工程师根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制,提高产品性能。提供性价比初期选型指导及高品质IC芯片应用方案,大大节省选型费用。

03专业售前/后服务团队,让您售后无忧

我们80%以上销售人员拥有超6年的行业工作经验,为客户提供研发选型阶段的规格推荐、样片提供、技术支持及方案整合等专业服务。

走进中芯巨能

芯时代,芯未来
  • 深圳市中芯巨能电子有限公司,成立于2010年,是一家集电子元器件代理商、产品方案开发和技术服务为一体的高科技企业,致力为客户提供可靠元器件、成本控制及方案解决。公司代理分销国内外品牌逾三百家,主要品牌有瑞萨电子、AOS、Altera、Xilinx、Microchip、Infineon、TI、ST、NXP、ON、ADI、中微爱芯、武汉芯源、中科芯、上海普冉、长电/长晶等 ,产品线包括现场可编程逻辑器件、数字信号处理器、微处理器、微控制器、单片机、场效应管、IGBT单管、碳化硅、 运放、存储、传感器、可控硅等以及其它被动元器件;为客户提供一站式解决方案。

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新闻进行时

聚焦中芯巨能动态,获取芯片方向
华普微数字隔离器:强弱电融合时代的安全“芯”基石

2026-01-20热门华普微数字隔离器:强弱电融合时代的安全“芯”基石

在工业自动化、新能源及高压终端设备持续向高集成度与高可靠性演进的背景下,强弱电混合系统中的通信安全问题日益突出。高低压电路共存时,浪涌、电磁干扰(EMI)和接地电位差极易导致信号失真、器件损坏甚至系统宕机。在此挑战下,数字隔离器正成为保障现代电子系统安全稳定运行的关键...

2026-01-20热门恩智浦携手GE医疗,以边缘AI重塑急症护理场景

在2026年国际消费电子展(CES)上,恩智浦半导体与GE医疗联合展示了两项基于安全边缘人工智能的创新医疗概念——智能麻醉交互系统与新生儿实时监护方案。此次合作标志着双方将恩智浦在高性能、高安全性边缘计算领域的技术积累,与GE医疗数十年的临床洞察深度融合,共同推动设备端AI在急...

恩智浦发布S32N7:集成五大域的中央AI控制芯片

恩智浦发布S32N7:集成五大域的中央AI控制芯片

恩智浦半导体近日正式推出 S32N7 超高集成度汽车处理器系列,基于与 S32N55 相同的 5 纳米工艺平台,首次在单颗芯片上融合动力总成、车辆动态控制、车身、网关与安全五大核心功能域。这一突破性设计标志着汽车电子电气(E/E)架构向“车辆核心”(Vehicle Core)集中化迈出关键一步,为软件...

英飞凌推CoolSiC™ G2 MOSFET新品,Q-DPAK封装重塑高功率密度设计边界

英飞凌推CoolSiC™ G2 MOSFET新品,Q-DPAK封装重塑高功率密度设计边界

在电动汽车与工业电源系统持续追求更高效率、更小体积的驱动下,碳化硅(SiC)器件正从“可选项”变为“必选项”。近日,英飞凌科技宣布扩展其CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列,新增Q-DPAK顶部散热封装及多款低导通电阻型号,最低RDS(on)达4 mΩ,为车载充电器、DC-DC转换器、服务器电源及固...

中芯巨能秋日露营团建:晚风、欢笑与团队的温度

2025-11-18热门中芯巨能秋日露营团建:晚风、欢笑与团队的温度

2025年11月15日,秋意正浓,微风轻拂。中芯巨能的伙伴们暂别繁忙的工位,齐聚深圳罗湖·望桐露营地草坪区,开启了一场别开生面的户外草坪露营团建活动——“吹晚风、享轻松,共赴一场惬意的户外之约”。抽签组队,四色战队活力集结活动伊始,大家通过抽签随机分组,红队、蓝队、橙队、紫队迅...

2025-09-26热门2025年中芯巨能国庆、中秋放假通知

敬的客户:您好!值此国庆、中秋双节来临之际,中芯巨能全体员工谨向您致以最诚挚的祝福!祝您节日快乐,阖家幸福,万事如意!根据国务院办公厅关于2025年国庆节放假安排的通知精神,结合我公司实际情况,现将放假时间安排告知如下:放假时间:2025年10月1日(星期三)至10月7日(星期二),共7天。调休上班安...

圆满收官 | 2025慕尼黑上海电子展中芯巨能精彩回顾

圆满收官 | 2025慕尼黑上海电子展中芯巨能精彩回顾

2025年4月17日下午4点,备受瞩目的慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心圆满落幕。这场被誉为“电子行业灯塔展会”的盛会,吸引了近1800家国内外优质电子企业参展,展示了涵盖新能源汽车、智能汽车、绿色能源、智能工厂、物联网+、智能可穿戴、工业互联网、无线通信、数据中心、智...

倒计时 7 天!中芯巨能诚邀您共赴慕尼黑上海电子展

倒计时 7 天!中芯巨能诚邀您共赴慕尼黑上海电子展

尊敬的客户朋友:距离慕尼黑上海电子展盛大启幕,仅剩7天!2025年4月15日-17日,中芯巨能在上海新国际博览中心等您来!我们的展位号N4.249!关于中芯巨能:深圳市中芯巨能电子有限公司成立于2010年,是一家集电子元器件代理商、产品方案开发和技术服务为一体的高科技企业,致力于为客户提供可靠...

肖特基二极管封装对PCB设计的影响

2026-01-20热门肖特基二极管封装对PCB设计的影响

肖特基二极管因其低正向压降和快速恢复特性,广泛用于电源整流、反接保护和高频电路。然而,其封装形式不仅决定电气性能,更深刻影响PCB的布局、散热、制造工艺与可靠性。合理理解封装与PCB的交互关系,是高效设计的关键。1. 封装类型决定布板空间与密度通孔封装(如DO-41、TO-220)体积...

2026-01-20热门肖特基二极管常用封装类型全解析

肖特基二极管(Schottky Diode)因其低正向压降(VF)、快速开关速度和高效率,广泛应用于开关电源、光伏系统、电池保护及高频整流等场景。而其性能发挥不仅取决于芯片本身,更与封装形式密切相关。以下是主流封装类型的详细解析。1. 通孔封装:可靠耐用,适合高功率DO-41:最常见于1A–3A小功...

三端稳压器封装选型五步法

三端稳压器封装选型五步法

三端稳压器(如78xx、LM317、LDO等)因其结构简单、使用方便,广泛应用于各类电源设计中。然而,其封装形式直接影响散热能力、安装方式、功率处理及PCB布局。合理选型需遵循以下五个关键步骤:第一步:明确电气参数与功耗首先确定输入/输出电压、最大输出电流及压差(VIN – VOUT)。由此计算...

PDN设计不再“堆电容”!用MPQ8785+三级滤波法,精准压低电源阻抗

PDN设计不再“堆电容”!用MPQ8785+三级滤波法,精准压低电源阻抗

在5G基站、光模块、AI服务器等高频高功率电信设备中,芯片对供电纯净度的要求已逼近极限。哪怕电源轨上出现几毫伏的瞬态噪声,都可能导致误码率飙升甚至系统宕机。而决定供电稳定性的核心——电源传输网络(PDN)设计,正从“经验堆料”走向“精准调控”。今天,我们就拆解PDN优化的核心...

如何评估三端稳压器封装的散热性能?

2026-01-17热门如何评估三端稳压器封装的散热性能?

三端稳压器(如LM7805)虽结构简单,但其效率低、发热大,散热能力直接决定系统可靠性。而散热性能主要由封装类型和PCB设计共同决定。正确评估散热性能,可避免芯片过热关断或寿命缩短。1. 关键参数:热阻(θJA)热阻是衡量封装散热能力的核心指标,单位为℃/W,表示每瓦功耗引起的结温升高。常...

2026-01-15热门三端稳压器封装如何影响PCB设计?

三端稳压器(如78xx、79xx系列)因其结构简单、成本低廉,至今仍广泛用于各类电源电路。虽然只有输入(IN)、输出(OUT)和地(GND)三个引脚,但其封装形式——从经典的TO-220到小型SOT-223——对PCB布局、散热、可靠性和制造工艺有着深远影响。1. 散热能力决定是否需要散热器与铜箔设计最常见的...

【解答】线性稳压器封装如何影响PCB设计?

【解答】线性稳压器封装如何影响PCB设计?

在电源设计中,线性稳压器(尤其是LDO)的封装选择不仅关乎器件本身性能,更深刻影响PCB布局、散热、信号完整性和制造工艺。选型不当可能导致过热、噪声超标甚至焊接失效。1. 散热能力决定铜箔与焊盘设计通孔封装如TO-220可通过金属背板加装散热器,PCB只需预留安装孔;而表贴封装(如SOT-2...

【解答】如何优化2SK2225-E的热设计?

【解答】如何优化2SK2225-E的热设计?

优化 2SK2225-E(1500V/2A N沟道高压MOSFET,TO-3PF封装)的热设计,是确保其在高电压、高开关频率或连续工作条件下长期可靠运行的关键。尽管其额定电流仅为2A,但由于导通电阻较高(典型值约12Ω),在满载时导通损耗可达:即使实际应用中多为脉冲或轻载工况,仍需系统性地进行热管理。以下是针...