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随着人工智能（AI）和高性能计算（HPC）的发展，高带宽内存（HBM）因其高密度和高带宽特性，成为AI芯片架构中的关键组件。这一趋势对自动测试设备（ATE）提出了更高的要求，尤其是在存储器晶圆探针电源测试环节，传统PhotoMOS开关正面临性能瓶颈。
在先进存储器测试中，ATE系统需具备高速、高精度和多通道并行测试能力。PhotoMOS开关因低电容电阻乘积（CxR）曾广泛应用于该领域，有助于降低信号失真、提升关断隔离度，并实现较低的插入损耗。然而，其固有缺陷逐渐显现：
导通速度慢：由于LED驱动机制限制，导通时间通常高达200,000 ns，严重制约测试效率；
扩展性差：难以支持大规模并行测试需求；
可靠性问题：LED老化影响长期稳定性，增加维护成本。
这些因素使得PhotoMOS在应对当前HBM等高频、高密度存储器测试时显得力不从心。
为解决上述问题，ADI代理授权、原厂货源 - 深圳市中芯巨能电子有限公司为您推荐ADI 基于CMOS工艺的新型开关器件ADG1412，作为PhotoMOS的理想替代方案。其主要优势体现在以下几个方面：
极快导通速度：CMOS开关的导通时间仅约100 ns，是PhotoMOS的2000倍，大幅提升测试吞吐量；
低导通电阻（RON）：典型值仅为1.5 Ω，显著降低插入损耗，提高测量精度；
良好扩展性：支持SPI或并行接口，便于构建高密度测试矩阵；
稳定性和寿命优势：无LED结构避免了光衰问题，更适合长时间自动化测试任务。
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在ATE系统中，开关用于将多个被测器件（DUT）连接至参数测量单元（PMU），实现电压施加与电流检测的高效切换。使用CMOS开关后，可轻松构建矩阵式配置，使单个PMU同时服务多个DUT，显著减少硬件投入和布线复杂度。
以ADG1412为例，其四通道SPST结构、低漏电流和高功率处理能力，使其非常适合用于HBM等高性能存储器的电源探针测试。此外，CMOS架构下的COFF（关断电容）虽略高于PhotoMOS，但在DC或低频测试场景中影响甚微，整体性能更优。
下表列出了CMOS开关与PhotoMOS开关的关键指标对比：
| 参数 | PhotoMOS开关 | CMOS开关（ADG1412） |
|---|---|---|
| 导通时间 | 200,000 ns | 100 ns |
| RON | 较高 | 1.5 Ω |
| 插入损耗 | -0.8 dB | -0.3 dB |
| 关断隔离（@100kHz） | -80 dB | -70 dB |
| 扩展性 | 差 | 好（支持SPI/并行） |
| 成本 | 高 | 更具性价比 |
从数据可见，CMOS开关在多数关键指标上已超越PhotoMOS，尤其适合需要高速、多通道并行测试的应用场景。
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