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TP65B110HRU (订购料号:TP65B110HRU-TR)是RENESAS(瑞萨)一款650V 110mΩ 高电压 GaN 双向开关。瑞萨电子代理商-中芯巨能为您提供TP65B110HRU:中文参数、应用领域、引脚图、产品规格书及现货。
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TP65B110HRU (订购料号:TP65B110HRU-TR)是RENESAS(瑞萨)一款650V 110mΩ 高电压 GaN 双向开关。瑞萨电子代理商-中芯巨能为您提供TP65B110HRU:中文参数、应用领域、引脚图、产品规格书及现货。
额定电压:±650 V(连续交流/直流),瞬态耐压 ±800 V
导通电阻 RDS(on):典型值 110 mΩ(25°C)
栅极阈值电压 VGS(th):典型 3 V
栅极驱动要求:无需负压,兼容标准硅基栅极驱动器
最大栅源电压 VGS:±20 V(高耐受裕量)
dv/dt 抗扰度:> 100 V/ns,适用于硬开关拓扑
反向导通压降(VSS,FW):1.8 V(内置体二极管路径)
ESD 防护:2 kV HBM / CDM
封装:TOLT(Top-Cooling TOLT),支持顶部散热,引脚兼容行业标准
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光伏微型逆变器:实现单级AC/DC转换,省去中间DC链路电容,提升效率至97.5%以上;
AI数据中心与电信电源:用于图腾柱PFC、LLC谐振转换等高频率拓扑;
车载与固定式电池充电器:支持双向充放电(V2X)架构;
不间断电源(UPS):提升轻载效率与动态响应;
伺服与工业电机驱动:适用于需要再生制动能量回馈的场景。
RTDACHB0000RS‑MF‑1(订购料号:RTDACHB0000RS-MF-1) 评估套件采用两颗由瑞萨 MCU 控制的 110mΩ 双向开关(BDS)TOLT 器件,为演示 BDS 调制、操作以及真实功率转换拓扑中开关单元典型的软开关行为提供了灵活的平台。此款即插即用板可让客户轻松观察瑞萨 GaN BDS 器件在软开关条件下的开关特性。 只需连接 AC 输入和辅助电源,用户即可评估 BDS 功能并加速其转换器开发。
无论是常规料号、热门芯片、短缺型号乃至冷门物料。只要你有需要,一张BOM表给到我们,中芯巨能定为您提供匹配度90%以上的产品
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常年备货RENESAS(瑞萨)/IDT、Xilinx、Infineon、TI、AOS、中微爱芯、ST等品牌现货库存,现货供应逻辑器件、数字信号处理器、单片机/微控制器、场效应管、IGBT单管、电源管理等,满足电子元器件及时性采购与开发需求
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