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QS6M4TR是ROHM(罗姆)一款N 和 P 沟道MOSFET 。代理销售ROHM(罗姆)旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能将为大家提供QS6M4TR中文参数、功能特点及应用领域。
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系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
零件状态：有源
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：30V，20V
25°C时电流-连续漏极(Id)：1.5A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：230 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.6nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：80pF @ 10V
功率-最大值：1.25W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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1. 稳定的电压输出： 可能用于稳定输出电压，使其在不同负载条件下保持恒定。
2. 过压保护： 可能具备过压保护功能，以防止负载电路损坏。
3. 低压差设计： 在输入和输出之间可能有较低的压差，有助于减少能源损耗。
4. 高电流承受能力： 可能具备高电流承受能力，适用于一定功率的应用。
5. 短路保护： 可能包含短路保护功能，以保护电路不受损坏。
1. 电源模块和电源适配器： 用于各种电子设备的电源管理模块或适配器。
2. 工业自动化： 在工业控制系统中用于稳定电源输出。
3. 消费电子产品： 例如智能手机、平板电脑等的电源管理和稳压。
4. 医疗设备： 用于医疗设备的电源稳定和管理。
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提供性价比初期选型指导及高品质IC芯片应用方案，成本比同行方案大大节省费用
常年备货Altera、Xilinx、Microchip、Infineon、TI、ST等品牌现货库存，现货供应逻辑器件、数字信号处理器、单片机/微控制器、场效应管、IGBT单管、电源管理等，满足电子元器件及时性采购与开发需求
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