BSS138LT1G ON安森美 场效应管

BSS138LT1G是ON Semiconductor（安森美）逻辑电路芯片。代理销售ON安森美半导体旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能将为大家提供BSS138LT1G中文资料：中文参数详解、功能特点及应用领域。

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BSS138LT1G中文资料

BSS138LT1G 是一款单路、两输入与门，由于采用了尖端 CMOS 技术，可在宽 VCC 工作范围内以超快的速度和高输出驱动运行。该器件设计为在 1.65 至 5.5V VCC 工作范围内运行。当VCC为0V时，输入和输出呈高阻抗。无论 VCC 工作电压如何，输入均可承受高达 6V 的电压。该产品用途广泛，适合一般用途。以下是中文参数详解、功能特点、应用领域等内容：

一、BSS138LT1G中文参数详解

品牌：Onsemi, 安森美半导体

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：50V

25°C时电流-连续漏极(Id)：200mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 欧姆 @ 200mA，5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：50pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：225mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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二、BSS138LT1G功能特点

1. 低门源电压（Vgs）：BSS138LT1G具有低的门源电压要求，适合在低电压电路中使用。

2. 低开关电阻：该器件具有低的开关电阻，能够提供较高的导通电流。

3. 高速开关特性：BSS138LT1G具有快速的开关特性，适合用于高频率的开关电路。

4. 低静态功耗：由于其低门源电压和低开关电阻，该器件在导通状态下具有较低的静态功耗。

三、BSS138LT1G应用领域

1. 低压驱动电路：由于其低门源电压要求，BSS138LT1G适合用于低压驱动电路，如便携设备中的电源管理电路。

2. 开关电路：由于其高速开关特性和低开关电阻，该器件适合用于各种类型的开关电路，包括DC-DC转换器、LED驱动器等。

3. 信号开关：BSS138LT1G也可以用于各种类型的信号开关电路，如模拟开关、数字开关等。