突破硅基能效瓶颈，意法半导体700V GaN器件赋能高端电气化

AI算力集群扩容、人形机器人迭代、新型储能规模化落地，推动高压大功率电源架构向高频化、小型化、高能效方向快速演进。传统硅基MOSFET受限于物理特性，开关损耗大、反向恢复效应明显，能效与功率密度已逼近技术上限，难以匹配当下高端电气化设备的严苛需求。针对行业技术痛点，意法半导体扩充STPOWER产品矩阵，全新推出七款700V PowerGaN氮化镓HEMT器件，依托宽禁带技术优势，打破硅基器件性能桎梏，为AI服务器、工业电源、智能电网等高功率场景提供全新高效功率转换方案。

相较于传统硅功率器件，本次量产的700V GaN系列具备原生性能优势，彻底解决高频工况下的损耗难题。器件无反向恢复电荷，搭配极低寄生电容与栅极电荷，大幅削减高频开关损耗与导通损耗，优异的FoM品质因数远超同规格硅基产品。该特性可有效降低设备工作温升，精简系统散热结构，同时支持更高频率拓扑设计，缩小磁性元件、无源器件体积，助力电源系统轻量化、高密度集成升级。

全新系列器件覆盖完备功率规格，电流区间6A至29A，导通电阻区间53mΩ至270mΩ，可适配中高功率差异化场景需求。产品兼容主流电路设计，既可直接替代传统硅基MOSFET实现快速迭代升级，无需大幅改版硬件；也可支撑全新高频拓扑研发，赋能电源架构创新。同时全系器件通过意法半导体严苛可靠性认证，工业级稳定性可适配复杂严苛工况，保障设备长期稳定运行。

在封装设计层面，新品采用DPAK、TO-LL、PowerFLAT三大成熟贴片封装，全面适配主流EDA工具链与自动化产线，量产落地便捷性极强。其中TO-LL与PowerFLAT封装搭载开尔文源极引脚，实现栅极控制回路与主功率回路物理隔离，有效抑制高频干扰，稳固栅极驱动稳定性，预留充足时序裕量，进一步提升系统抗扰能力与运行可靠性。搭配专属散热焊盘设计，器件导热效率大幅提升，充分释放氮化镓材料的性能潜力。

意法半导体功率及分立器件子产品部执行副总裁Mario Aleo表示，本次700V PowerGaN系列的落地，让中高功率电气化场景全面受益于氮化镓技术红利。未来品牌将持续扩充GaN产品矩阵，迭代不同耐压规格与特色功能器件，持续夯实AI算力、人形机器人、工业工控、高端消费电源等赛道的技术解决方案能力。

目前，全系700V PowerGaN器件已正式进入量产阶段。作为宽禁带功率技术的重要突破，该系列器件精准破解高端电源能效不足、功率密度低、体积偏大的行业痛点，兼顾性能、成本与量产优势，将持续加速各领域高压大功率设备的能效升级与架构革新，助力电气化产业高质量发展。

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