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宽带隙电源方案扩容:ST 推出两款 100W 集成 GaN 离线转换器

来源:ST意法半导体官网| 发布日期:2026-07-01 12:00:02 浏览量:

全球家电、消费电源行业能效标准持续收紧,氮化镓宽带隙器件凭借低损耗、小型化优势,成为中小功率 AC-DC 电源升级主流路线。意法半导体扩充 VIPerGaN 产品线,推出两款面向 100W 功率等级的高压单片 GaN 转换器 VIPerGaN100W 与 VIPerGaN100WB,面向智能家居、照明、电视、快充充电器、小型家电等批量场景,大幅简化高压反激电源硬件开发流程,兼顾高能效、高功率密度与工况适应性。

两款器件适配 85V~265V 全球宽幅市电输入,当输入电压高于 185V 时可持续稳定输出 100W 功率,核心差异体现在峰值负载耐受能力:VIPerGaN100W 漏极限流 3.5A,适配恒定负载设备;VIPerGaN100WB 限流提升至 4.2A,可短时承载 125W 峰值功率,针对咖啡机、空调等搭载电磁阀、电机的感性负载设备,无需额外预留冗余功率裕量,有效精简电源整体设计规格。

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芯片采用高度集成 5mm×6mm QFN 封装,内部集成 700V 耐压 GaN 功率管、完整反激控制环路与专用 GaN 栅极驱动电路,功率器件导通电阻仅 0.27mΩ,热损耗显著降低。一体化集成方案省去工程师调试栅极匹配电阻、优化驱动电感的繁琐流程,缩短样机验证周期。依托 GaN 高频开关特性,整机可选用更小体积变压器、电容等无源器件,实现更高功率密度。ST 同步发布 EVLVIPGAN100WP 评估参考设计,打造 100W USB PD3.0 快充方案,支持 5V/3A 至 20V/5A 五档固定输出,采用次级侧光耦反馈架构,整机峰值效率突破 92%,裸板功率密度可达 24W/in³,为消费快充产品提供标准化落地模板。

两款芯片内置准谐振 ZVS 零电压开关架构,搭配分层负载功耗管理逻辑:轻载阶段启用频率折返机制,中载采用稳定谷底跳周期控制,自研谷底锁定算法避免音频噪声;空载突发模式可将待机功耗控制在 30mW 以内,满足各国严苛待机能耗法规。线路电压前馈补偿机制可实时修正不同市电下的输出功率波动,动态消隐功能抑制开关尖峰损耗,全负载区间维持高效运行。安全层面集成输入 / 输出过压、过热关断、欠压启停、掉电保护全套防护机制,全方位提升终端设备运行可靠性。

EVLVIPGAN100WP评估板

作为 VIPerGaN 家族全新成员,两款单片 GaN 转换器打通家电、消费电子、楼宇自动化多赛道电源升级路径,凭借高集成、易调试、全工况节能的综合优势,降低宽带隙电源的量产落地门槛,助力终端产品兼顾小型化、低功耗与长期运行稳定性。

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