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2026英飞凌宽禁带论坛:SiC与GaN重塑能源与算力新格局

来源:英飞凌| 发布日期:2026-05-25 14:23:56 浏览量:

在新能源汽车、AI算力爆发以及全球能源结构向绿色低碳转型的多重驱动下,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体,正凭借其高能效、高功率密度的核心优势,加速渗透至电动汽车、光伏储能及AI数据中心等关键领域。为深入探讨这一技术浪潮的演进路径,2026英飞凌宽禁带论坛于5月21日在深圳盛大举行,汇聚产业链上下游伙伴,共同见证宽禁带技术迈入规模化应用的新拐点。

市场与技术双轮驱动,迈入规模化拐点

据QYResearch预测,2025年至2031年间,宽禁带功率半导体器件市场年均复合增长率(CAGR)将高达21%。英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁潘大伟指出,中国在新能源、AI数据中心及人形机器人等新兴领域的加速发展,为宽禁带技术的多元创新提供了广阔空间。英飞凌执行副总裁Andreas Weisl也强调,SiC和GaN正在重新定义功率半导体的性能边界,英飞凌将通过持续创新,为行业低碳转型提供坚实支撑。

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聚焦前沿应用,解析SiC与GaN技术内核

论坛期间,英飞凌科技碳化硅创新与产业化Fellow Peter Friedrichs博士深入剖析了下一代电网转型中,大容量储能系统对高压半导体高效能量转换的迫切需求。与此同时,英飞凌科技AI与电源应用副总裁Sergio Rossi博士则重点展示了GaN在AI数据中心、人形机器人等领域的独特优势,阐述了其如何赋能未来智能应用实现更高性能与能效。

四大核心展区,展现全场景落地实力

论坛同期设立的四大展区,集中展示了40余款英飞凌及合作伙伴的创新产品与解决方案:

能源基础设施展区:展出了基于QDPAK封装的1200V CoolSiC JFET工艺,具备极低导通损耗与高可靠性;同时亮相的全氮化镓3kW HERIC光伏逆变器参考设计,结合TCM/CCM混合调制技术,完美适配混合式储能逆变器。

AI数据中心展区:面向高性能计算的18kW三相输入电源方案成为焦点。该方案基于碳化硅五电平ANPC拓扑,结合GaN同步整流及平面变压器架构,效率高达约97.5%,充分满足AI服务器对高功率密度供电的严苛需求。

机器人展区:基于100V GaN的人形机器人电机驱动方案,采用iGaN集成功率级,可嵌入电机内部,通过提升开关频率大幅降低损耗,满足机器人对高性能、小型化电驱系统的需求。

电动出行展区:新一代HybridPACK Drive G3S功率模块体积较上一代缩小约40%,支持最高600Arms电流输出;基于BDS GaN的单级6.6kW车载充电(OBC)方案,平均效率超97%,有力推动了电动汽车充电系统的高效化与轻量化。

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