安森美与吉利深化合作：SiC技术驱动900V高压电驱平台落地

来源：安森美| 发布日期：2026-05-03 18:00:01 浏览量：

在全球电动车向高电压、高效率演进的关键阶段，安森美（onsemi）与吉利汽车集团宣布扩大战略合作，将前者领先的 EliteSiC 碳化硅（SiC）功率技术深度集成至吉利新一代 SEP浩瀚超级电混系统。这一合作不仅标志着半导体厂商与整车企业协同开发模式的升级，更预示着900V高压架构正从概念走向规模化量产。

此次合作的核心在于系统级整合。吉利最新电驱平台采用安森美 EliteSiC MOSFET 与模块，构建支持900V母线电压的高功率密度逆变器。相比传统硅基方案，SiC器件在高压下导通损耗与开关损耗显著降低，使整车在相同电池容量下实现更长续航；同时，高电压架构允许以更低电流传输相同功率，大幅减少线缆发热与能量浪费，为超快充（如5C以上）提供物理基础。

实际效益体现在多个维度：首先，系统功率密度提升，使电驱总成体积更小、重量更轻，释放更多乘员舱或电池空间；其次，SiC优异的高温工作能力（结温可达200°C）配合优化热管理，确保车辆在连续高负载（如高速超车或山区行驶）下维持稳定输出；再者，更快的开关速度带来更平滑的扭矩响应，提升驾驶质感。

为何聚焦900V？行业共识是：800V只是过渡，900V及以上才是实现“充电10分钟，续航400公里”体验的关键。在该电压等级下，安森美 EliteSiC 技术凭借低Rds(on)、高可靠性及车规级认证（AEC-Q101），成为支撑高压平台落地的核心器件。据测算，采用SiC的900V系统可比400V硅基系统降低约5–8%的整车能耗，直接转化为数十公里的续航增益。

值得注意的是，双方合作已超越传统“芯片供应”关系，进入早期联合定义阶段。安森美深度参与吉利电驱平台的拓扑选择、热设计与控制策略制定，确保半导体特性与整车需求高度匹配。这种“芯片-系统-整车”三级协同，正是下一代电动平台开发的新范式。

正如安森美CEO Hassane El-Khoury所言：“电动车的竞争已从电池转向系统能效，而半导体是能效的基石。”吉利CEO淦家阅亦强调，与安森美的合作使其在平台工程层面获得关键赋能。

随着SEP浩瀚系统搭载车型陆续上市，消费者将切实感受到：加速更迅猛、充电更迅捷、续航更扎实——而这背后，是碳化硅技术与高压架构共同推动的电动出行新标准。

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