ROHM发布第5代EcoSiC™ MOSFET，高温导通损耗再降30%

来源：ROHM| 发布日期：2026-05-01 16:00:01 浏览量：

在电动汽车与AI算力双重驱动下，全球对高能效功率半导体的需求正以前所未有的速度增长。2026年3月，日本半导体厂商ROHM正式完成其第五代EcoSiC™碳化硅（SiC）MOSFET的开发，标志着SiC技术在高温、高功率场景下的性能边界再次被突破。该器件专为xEV牵引逆变器、车载充电器（OBC）、AI服务器电源及数据中心等大功率应用设计，核心亮点在于：在结温175℃工况下，导通电阻较第四代产品降低约30%（相同耐压与芯片面积条件下），显著提升系统效率并缩小体积。

这一性能跃升源于ROHM对器件结构与制造工艺的深度协同优化。在电动汽车动力总成中，逆变器长期处于高温高负载状态，传统硅基器件或早期SiC方案难以兼顾效率与热管理。第5代EcoSiC™通过降低高温下的RDS(on)，不仅减少了传导损耗，还允许设计者采用更紧凑的散热方案，从而提升功率密度或延长续航里程。在工业侧，面对AI服务器电源日益严苛的能效标准（如80 PLUS Titanium），更低的开关与导通损耗意味着更高的整体转换效率和更低的运营成本。

ROHM自2010年率先量产SiC MOSFET以来，始终是车规级SiC器件的重要推动者。其第四代产品已广泛应用于全球多款电动车型与工业电源系统，并通过AEC-Q101认证。此次第五代产品的推出，延续了其“从裸芯到模块”的全栈布局策略：2025年起已提供裸芯片样品，2026年7月将开放分立器件与功率模块样品，便于客户提前导入设计。

值得注意的是，ROHM并未止步于器件本身。公司同步强化了配套生态——包括热仿真模型、损耗计算工具及参考设计支持，帮助工程师快速评估系统级收益。未来，ROHM计划扩展第五代SiC MOSFET的耐压等级（覆盖650V至1.2kV以上）与封装形式（如TO-247、HV-HSOP及半桥模块），进一步覆盖从OBC到DC-DC转换器、光伏逆变器等多元场景。

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