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在2026年3月13日举行的博格华纳PDS 2026全球供应商大会上，士兰微电子凭借其在车规级功率半导体领域的技术实力、稳定交付与质量表现，荣获“合作贡献奖”。这一奖项不仅肯定了士兰微在新能源汽车核心供应链中的关键角色，更标志着中国半导体企业正深度融入全球 Tier 1 体系，成为电动化转型中不可或缺的技术伙伴。
作为新能源汽车“新三电”系统的核心器件，高性能车规级IGBT 直接决定了整车的能效、加速响应与续航能力。士兰微已为博格华纳多个定点新能源平台提供大功率IGBT芯片，广泛应用于主电机控制器等高可靠性场景。其产品在开关损耗、热循环寿命及短路耐受能力等关键指标上达到国际主流水平，支撑整车在极端工况下的稳定运行。
当前，全球汽车产业正加速从“规模扩张”转向“技术纵深”，而核心功率器件的自主可控已成为保障供应链安全的战略支点。士兰微是国内极少数实现 车规IGBT与SiC芯片“设计—制造—封测”全链路自主 的IDM企业。依托自建12英寸功率产线和车规级质量管理体系（IATF 16949），公司不仅能确保产品一致性与长期供货稳定性，更可快速响应客户定制需求，缩短开发周期。
值得注意的是，士兰微的车规IGBT已通过AEC-Q101认证，并在多家主流车企及Tier 1厂商中实现量产导入。其8英寸和12英寸产线协同布局，形成了从650V到1200V、覆盖几十安至数百安的完整产品矩阵，全面适配A00级微型车至高端智能电动平台。
面向未来，士兰微将持续深化与博格华纳等全球头部Tier 1的战略协同，不仅提供高性能、高可靠性的功率芯片，更将通过联合定义、早期介入等方式，参与下一代电驱系统的架构创新。同时，公司正加速推进碳化硅（SiC）模块的研发与量产，为800V高压平台和超快充技术储备技术底座。
在全球电动化浪潮下，士兰微正从“国产替代”迈向“全球共研”，以自主可控的功率半导体技术，为中国乃至全球新能源汽车的高质量、高安全、高效率发展注入“芯”动能。
1月28日，士兰微电子在杭州市滨江区迎来了其发展历程中的一个重要里程碑——士兰总部研发测试生产基地项目顺利封顶。该项目标志着公司在强化自主设计制造能力、完善全产业链布局的战略道路上迈出了坚实的一步。封顶仪式上，公司高层及各合作伙伴共同见证了这一重要时刻，并展望了未...【详情+】
2026年1月4日，厦门海沧——在新能源与AI算力浪潮席卷全球的背景下，中国半导体领军企业士兰微电子迎来历史性时刻：其自主研发的8英寸碳化硅（SiC）正式通线，同步启动投资百亿元的12英寸高端模拟集成电路制造项目。这一“双线并举”战略，不仅标志着士兰微在第三代半导体和高端模拟芯片领...【详情+】
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