英飞凌推共源型CoolSiC™ M1H 62mm模块，强化高可靠性电力电子设计

在碳化硅（SiC）器件加速渗透高压电力电子市场的背景下，英飞凌（Infineon）正式推出基于 M1H芯片技术 的 1200V与2000V CoolSiC™ MOSFET 62mm半桥模块，并首次引入 共源极（Common-Source） 架构。新品包括 FF1MR12KM1H、FF3MR12KM1H 和 FF5MR20KM1H 三款型号，面向储能、光伏、电动汽车充电及固态断路器等高要求应用，以更低损耗、更高鲁棒性与成熟封装工艺重塑中大功率SiC模块标准。

共源架构：简化驱动，提升系统性能

传统半桥模块采用“共漏”结构，上下管共享漏极，导致高频开关时存在共模噪声与电压振铃问题。而此次推出的 共源配置 将上下桥臂MOSFET的源极直接引出为公共端，显著：

降低开关回路电感，减少电压过冲（VDS overshoot）；

简化栅极驱动布局，避免负压干扰，提升EMI性能；

实现对称PCB布线，优化热分布与电流均衡。

这一设计特别适用于高速开关场景（如80–100 kHz以上），在保持低开关损耗的同时增强系统稳定性。

M1H芯片技术：可靠性与效率双提升

基于英飞凌第四代SiC MOSFET平台，M1H芯片带来多项关键改进：

集成体二极管优化：反向恢复电荷更小，热性能更优；

业界领先的栅氧可靠性：通过TDDB（时间依赖介质击穿）测试验证，寿命远超车规与工业标准；

高宇宙射线耐受能力：适用于高海拔或航天相关地面设备；

卓越耐湿性（H3TRB通过）：满足严苛环境下的长期运行需求。

此外，M1H提供 当前SiC MOSFET中最高的栅极阈值电压（VGS(th)），有效抑制米勒导通风险；同时实现 最低导通电阻（RDS(on)），进一步降低导通损耗。

成熟62mm平台：加速规模化落地

新品沿用英飞凌成熟的 62mm标准封装平台，具备：

高热循环可靠性（>200k cycles）；

低杂散电感互连结构；

与现有IGBT模块引脚兼容，便于客户从硅基方案平滑过渡至SiC。

依托规模化产线，该系列模块在保证高性能的同时，具备更具竞争力的成本结构，助力客户快速实现产品升级。

应用聚焦：高能效与高可靠并重

储能变流器（PCS）：高频高效运行，提升系统效率至99%+；

直流快充桩：2000V型号支持超高压架构，减少串并联数量；

光伏逆变器：低损耗特性延长日均发电时间；

固态断路器：高速关断能力配合低过冲，保障电网安全。

结语

英飞凌此次推出的共源型CoolSiC™ M1H 62mm模块，不仅是器件性能的迭代，更是系统级设计理念的升级。通过架构创新与工艺成熟度的结合，它为工程师提供了一条兼顾 高效率、高可靠性与工程可实施性 的SiC应用路径，在能源转型关键赛道中持续领跑。

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