科普安森美T2PAK封装SiC MOSFET

T2PAK 是安森美在其广受欢迎的 D2PAK 表面贴装封装基础上，引入 顶部散热（Top Side Cooling, TSC）技术的升级版本。它既保留了 D2PAK 适合自动化贴片、节省PCB面积的优点，又借鉴了 TO-247-4L 等通孔封装通过顶部直接接触散热器的高效热管理方式。

简单来说：传统D2PAK的热量只能从底部经PCB铜箔散出，而T2PAK则在顶部“开了一扇窗”，让热量可以直接“跳”到散热片上，绕过PCB这个“热瓶颈”。

为什么顶部散热如此重要？

在高功率密度设计中，PCB本身并不是理想的散热通道。当大电流流过MOSFET时，产生的热量若长期积聚在板上，不仅会抬高器件自身温度，还会“烘烤”周边电容、IC等敏感元件，加速老化甚至引发故障。

T2PAK 的顶部散热设计有效解决了这一问题：

更低的工作温度：实测显示，12 mΩ 规格的T2PAK器件，其结壳热阻低至0.35°C/W，显著优于同级别D2PAK；

更可靠的系统：主板整体温升降低，延长了所有元器件寿命；

更高的功率密度：无需为散热预留大片铜箔，PCB可以做得更小、更紧凑。

SiC + T2PAK：强强联合，效率再提升

T2PAK封装搭载的是安森美最新的 EliteSiC M3S 系列碳化硅MOSFET。相比传统硅基器件，SiC材料具有更高的击穿电场强度、更低的导通与开关损耗，特别适合高频、高压应用。

图 1：车规级安森美 T2PAK 封装 EliteSiC M3S 系列 MOSFET 的规格参数

以 NTT2023N065M3S（650V/23mΩ）为例，其总栅极电荷仅约74 nC，输出电容约195 pF，这意味着在开关过程中能量损耗极小。配合T2PAK的低杂散电感结构，可进一步抑制电压过冲和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。

更重要的是，SiC优异的“品质因数”（FOM）与T2PAK的高效散热相结合，让工程师能在相同体积下实现更高输出功率，或在相同功率下大幅缩小系统尺寸——这对电动汽车OBC（车载充电机）、DC-DC转换器、太阳能微逆变器等空间敏感型应用意义重大。

图2：安森美T2PAK 封装EliteSiC M3S 系列MOSFET 的规格参数

丰富选型 + 安全合规，加速产品落地

安森美已规划完整的T2PAK产品线，覆盖 650V 和 950V 两大主流电压平台，导通电阻从 12 mΩ 到 60 mΩ 共六档可选，满足从数百瓦到数千瓦的不同功率需求。

此外，该封装严格符合 IEC 60664-1 安全标准，爬电距离 ≥5.6 mm，确保在高湿、高污染环境下的电气安全。同时，其顶部散热面兼容导热垫、液态填缝剂、陶瓷绝缘片等多种热界面材料，便于在不同整机结构中灵活集成。

如需文章中的产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。深圳市中芯巨能电子有限公司代理销售安森美（onsemi）旗下全系列IC电子元器件，承诺100%原厂原装正品，现货供应、一片起订，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求。