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在AI服务器向48V供电架构加速演进的背景下，热插拔电路对功率MOSFET的安全工作区（SOA） 提出了前所未有的严苛要求。日本半导体巨头ROHM近日发布全新100V耐压功率MOSFET——RS7P200BM，凭借业界领先的超宽SOA性能与仅4.0mΩ的超低导通电阻，为高密度、高可靠性的48V电源系统提供了关键器件支持。
该器件采用紧凑型 DFN5060-8S 封装（5.0mm × 6.0mm），相较ROHM今年5月推出的8.0mm×8.0mm封装产品 RY7P250BM，面积缩小近42%，显著提升PCB布局密度，特别适用于空间受限的AI服务器背板、热插拔模块及工业电池保护电路等场景。
在48V服务器热插拔过程中，MOSFET需在栅极缓慢开启期间长时间工作于高电压、大电流的线性区，极易因局部热失控而失效。传统MOSFET在此工况下SOA极为有限，常需额外限流或复杂时序控制。
RS7P200BM则实现了突破性优化：在 VDS = 48V 条件下，可稳定承受：
7.5A 持续10ms
25A 持续1ms
这一超宽SOA范围远超同类竞品，使设计者能简化软启动电路，提升系统鲁棒性，同时避免因SOA不足导致的意外关断或器件损坏。
值得注意的是，ROHM并未以牺牲导通性能换取SOA提升。RS7P200BM在 VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃ 条件下，RDS(on)低至 4.0mΩ，有效降低稳态导通损耗。在高负载运行时，更低的功耗不仅提升电源转换效率，还显著减轻散热系统负担，进而降低数据中心整体电力成本——这对追求PUE（电源使用效率）极致优化的AI算力集群至关重要。
随着OCP（开放计算项目）推动48V直接供电架构普及，AI服务器、GPU加速卡及电信设备正大规模转向更高电压母线。在此趋势下，兼具高耐压、超宽SOA、小封装与低导通损耗的MOSFET成为关键瓶颈器件。
ROHM此次推出的RS7P200BM，正是针对这一痛点的精准回应。其小型DFN封装支持自动化贴装，配合卓越的热电性能，可帮助电源工程师在有限空间内构建更可靠、更高效的热插拔保护方案。
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