意法半导体EEPROM持续进化：从字节级存储到边缘AI新引擎

在非易失性存储器（NVM）的多元技术图谱中，EEPROM或许不是最“快”的，却始终是最“稳”的选择之一。自上世纪80年代问世以来，这项已近40年历史的技术凭借其字节级擦写粒度、超长数据保留时间、高耐久性与低功耗特性，持续活跃于汽车电子、可穿戴设备、工业传感器乃至新兴边缘AI等关键领域。

意法半导体（ST）作为全球EEPROM头部供应商，自1987年量产首款产品至今，累计出货量已达440亿颗，并长期占据市场领先地位。其连接与安全产品部综合市场业务线总监Sylvain Fidelis指出：“EEPROM的价值不仅在于成熟可靠，更在于它能随时代演进——从基础参数存储走向支持OTA更新、品牌保护与可持续设计。”

字节级优势不可替代

相较于NOR闪存需以扇区为单位擦除、FRAM虽快但成本较高，EEPROM的核心竞争力在于真正的字节级读写能力。这一特性使其在频繁记录小量数据的场景中表现卓越，例如智能手表中的用户设置、医疗设备的校准参数，或自动驾驶系统中多路传感器的状态日志。

尤其在空间受限的消费电子设备中，嵌入式EEPROM仿真方案已成为主流。而分立式串行EEPROM凭借统一的8引脚封装（如SO-8），支持从1Kbit到4Mbit的容量无缝升级，极大简化了硬件迭代流程——无需改版PCB即可扩展存储，显著降低开发风险与成本。

Page EEPROM：打破容量天花板

面对边缘AI、智能表计和可修复电子产品对更高存储密度的需求，传统EEPROM一度面临“玻璃天花板”。2024年，意法半导体推出的Page EEPROM系列（8Mb/16Mb/32Mb）成功突破这一限制，在保持8引脚小封装的同时，将容量提升至32Mbit。

该产品融合EEPROM的耐用性与闪存的高密度优势：

支持字节级擦写用于精细数据记录；

同时提供页面/块擦除与页面写入，高效支持无线（OTA）固件更新；

读取速度达320Mbit/s，接近串行NOR闪存水平；

耐擦写次数高达50万次（部分型号达400万次），远超传统闪存；

数据保留时间仍维持100年以上；

功耗仅为同类闪存的十分之一，深度关断模式电流低于1µA，并新增峰值电流控制（≤3mA），优化电池供电设备的电源稳定性。

首批应用已落地于助听器、GPS追踪器、电动自行车BMS及工业状态监测传感器等对尺寸、功耗与可靠性要求严苛的场景。

长期供货与IDM模式保障生态稳定

在供应链波动频发的当下，ST通过IDM（垂直整合制造）模式实现从设计、工艺到封测的全链路掌控，并承诺：

商用/工业级EEPROM供货10年；

汽车级产品供货15年。

目前其EEPROM产品线覆盖400余款型号，支持1.2V–5V宽电压、多种温度等级与封装形式，全面适配规模化部署需求。

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