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在新能源汽车持续向高效率、高电压平台演进的背景下，国产碳化硅（SiC）功率模块迎来关键突破。华润微电子功率器件事业群（PDBG）近日宣布，其基于1200V第四代SiC MOSFET芯片的主驱模块已成功通过国内头部车企认证，并实现批量装车，主要应用于商用车电驱系统，标志着国产SiC模块在高端动力域的产业化落地取得实质性进展。
该模块采用PDBG自主研发的SiC MOS G4工艺平台，结合ValueDual封装技术，提供6管和8管并联两种配置，最低导通电阻达1.6mΩ。相比前代产品，G4芯片在降低导通损耗与开关损耗方面进一步优化，提升系统整体能效。其耐温能力达175°C，可在高温工况下稳定运行，适应电驱系统严苛的热管理环境。
ValueDual封装设计具备低寄生电感特性，有效抑制高频开关过程中的电压过冲与振荡，提升系统可靠性。同时，该封装与主流驱动电路兼容性高，便于整车厂进行平台化设计与替换。模块内部采用AMB（活性金属钎焊）陶瓷基板，确保长期热循环下的结构稳定性，满足AEC-Q101车规级可靠性标准。
该模块支持多管并联架构，可根据不同功率等级灵活配置，适用于70kW至200kW级电驱系统。并联设计不仅提升电流输出能力，还通过优化均流特性改善热分布，降低局部热点风险。其驱动接口设计简洁，可与标准栅极驱动IC无缝对接，缩短系统开发周期。
目前，该系列已推出CRXMH600P120VDG4AQ（6管）和CRXMH800P120VDG4AQ（8管）两款型号，除主驱应用外，还可拓展至车载充电机（OBC）、DC-DC转换器及工业电机驱动、智能电网等高功率场景。
此次量产上车，体现了华润微从SiC芯片设计、工艺制造到模块封装的全链路自主能力。随着800V高压平台加速普及，SiC器件在降低系统损耗、提升续航方面的优势愈发凸显。华润微此次突破，不仅强化了其在国产SiC供应链中的地位，也为国内车企提供了高性能、高可靠性的本土化功率解决方案。
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