威世推第三代SiC二极管，助力高效电源设计

近日，威世（Vishay Intertechnology）宣布推出三款基于第三代碳化硅（SiC）技术的650 V和1200 V肖特基二极管，面向高性能电源系统，进一步拓展其在高效率功率器件领域的布局。新产品包括1 A的VS-3C01EJ12-M3和两款2 A型号VS-3C02EJ07-M3与VS-3C02EJ12-M3，均采用紧凑型SlimSMA HV（DO-221AC）封装，具备低容性电荷、高爬电距离及优异的热稳定性，适用于高密度、高频开关电源设计。

小尺寸封装，兼顾高绝缘与空间效率

新款SiC二极管采用厚度仅0.95 mm的SlimSMA HV封装，显著低于传统SMA（2.3 mm）和SMB封装器件，为PCB空间受限的应用提供了极具吸引力的解决方案。同时，器件最小爬电距离达3.2 mm，配合CTI ≥ 600的高绝缘模塑料，大幅提升了高压环境下的电气隔离性能，适用于650 V至1200 V的高压系统，有效降低漏电流和电弧风险。

该封装设计不仅优化了空间利用率，还增强了散热性能，支持器件在高达+175 °C的结温下稳定运行，满足严苛工业与电源应用的可靠性需求。

第三代SiC技术提升开关效率

与传统硅二极管相比，这三款第三代SiC肖特基二极管采用合并PIN肖特基（MPS）结构，在全温度范围内保持极低的容性电荷（低至7.2 nC），实现快速开关响应，显著降低开关损耗。其几乎无反向恢复电流的特性，避免了传统二极管在高频硬开关中产生的能量损耗，从而提升系统整体效率。

此外，MPS结构还使正向导通压降降至典型值1.30 V，进一步减少导通损耗，特别适用于PFC（功率因数校正）、DC/DC和AC/DC转换器等高效率拓扑。器件具备正温度系数，有利于多管并联使用时的电流均衡，提升系统可扩展性与可靠性。

广泛适用于工业与能源领域

这些SiC二极管适用于多种高要求场景，包括服务器电源中的自举二极管、防反接二极管、PFC升压二极管，以及工业电机驱动、储能系统、光伏逆变器和X射线发生器等。其高频、高效率特性有助于缩小磁性元件体积，提升功率密度，满足现代电源系统对小型化和节能的双重需求。

所有器件均符合RoHS标准，无卤素，具备MSL1（湿度敏感度等级1）认证，符合J-STD-020标准，并通过JESD 201第二类晶须测试，确保在恶劣环境下的长期可靠性。

随着第三代SiC技术的成熟，威世此次新品发布标志着其在高性能功率半导体领域的持续领先。在追求更高能效与更小体积的电源设计趋势下，这些新型SiC二极管将为下一代高效电源系统提供关键支持。

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