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2025年7月3日，全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）正式推出三款新型高压650V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），型号分别为TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS。这三款产品专为多千瓦级应用优化设计，广泛适用于AI数据中心服务器电源、800V高压直流架构、电动汽车充电设备、不间断电源（UPS）、电池储能系统及太阳能逆变器等高性能场景。
此次发布的第四代增强型（Gen IV Plus）GaN FET基于瑞萨收购的Transphorm公司所开发的SuperGaN®平台打造。该平台采用经市场验证的耗尽型（d-mode）常关断架构，在提升效率的同时确保了器件的稳定性和易集成性。与传统硅基或碳化硅（SiC）方案相比，瑞萨新一代GaN FET在导通损耗、动态电阻、栅极电荷等方面均有显著优化，并具备更高的4V阈值电压，进一步提升了开关性能。
值得一提的是，新产品的裸片尺寸比前代缩小14%，实现30毫欧（mΩ）的超低导通电阻（RDS(on)），同时将导通电阻与输出电容乘积（FOM）指标提升20%。更小的裸片不仅降低了系统成本，还减少了输出电容需求，从而提升整体效率和功率密度，特别适合对散热和空间有严苛要求的应用。
封装方面，三款产品提供TOLT、TO-247和TOLL三种选项，便于工程师根据具体应用灵活设计热管理和PCB布局。其中，TOLT和TOLL表面贴装封装分别支持顶部与底部散热路径，有助于降低外壳温度并提高并联能力；而TO-247封装则提供了更强的热容量，适用于更高功率密度的设计。
瑞萨GaN业务部副总裁Primit Parikh表示：“Gen IV Plus系列的成功推出，标志着瑞萨在完成对Transphorm收购后，在GaN技术领域的首次重大突破。未来我们将持续融合SuperGaN®平台的技术优势与瑞萨自身的驱动器、控制器产品线，构建完整的高效电源系统解决方案。”
此外，瑞萨在GaN领域已建立全面的产品矩阵，覆盖高功率至低功率应用场景，区别于多数仅专注于低功率段的厂商。截至目前，瑞萨累计出货GaN器件超过2,000万颗，现场运行时间突破300亿小时，展现出强大的市场认可度和技术积累。
目前，三款新型GaN FET及配套4.2kW图腾柱PFC评估平台（RTDTTP4200W066A-KIT）均已开放供货，为开发者提供从设计到落地的一站式支持。
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