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在高性能计算系统中,如数据中心处理器、AI加速芯片和高端FPGA,其内核电压通常低于1V,但所需电流却高达数百安甚至上千安。传统电源架构采用“两级转换”方式(如48V→12V→0.8V),虽结构清晰,但在效率、空间占用和成本方面存在明显瓶颈。
典型的双级转换方案首先将输入的48 V或54 V高压转换为中间12 V直流母线电压,然后再通过次级VRM(电压调节模块)降至目标内核电压。尽管每级转换效率可做到93%以上,但整体效率仅为约86.5%(0.93 × 0.93)。这种效率损失不仅带来更高的散热需求,也降低了系统能效比。
此外,中间总线的存在增加了PCB布线复杂度与铜箔使用量,尤其在高功率密度设计中,12V总线的压降问题变得尤为突出。同时,多级拓扑也会引入额外的寄生电感和噪声干扰,影响负载瞬态响应和输出电压精度。
一种更优的解决方案是采用单级直转架构,即直接从48 V或54 V一步降至目标内核电压(如0.8 V)。该方法显著简化了电源链路结构,提升了整体效率,并减少了所需组件数量和PCB面积。
以LTP8800-4A μModule器件为例,该模块可在单级转换中实现超过90%的效率,最大输出电流可达200 A。更重要的是,多个LTP8800-4A可通过并联扩展,轻松支持1000 A以上的输出能力,满足高端CPU/GPU对大电流供电的需求。
从48 V降至0.8 V意味着开关占空比约为1.7%。如此低的占空比对传统PWM控制器构成严峻挑战,尤其是在高频开关条件下,最短导通时间限制可能导致无法稳定输出电压。
LTP8800-4A等专用μModule器件通过集成高频GaN FET、优化栅极驱动电路以及采用先进的控制算法,有效克服了这一难题。同时,其内部集成了完整的功率级和反馈环路,极大简化了外围设计,提高了系统的鲁棒性和一致性。
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该类模块采用紧凑封装,如LTP8800-4A仅需少量外部元件即可完成完整电源设计,适用于高密度主板布局。此外,它们普遍支持PMBus接口,允许用户实时监控电压、电流、温度等参数,并具备EEPROM配置功能,便于故障记录与调试。
通过数字接口还可对控制环路进行精细调节,提升动态响应性能,进一步优化负载瞬变表现。这种高度集成化、数字化的设计理念,使得单级高压直转方案成为未来高性能计算平台电源架构的重要演进方向。
随着AI芯片和超算处理器对功耗和电流需求的持续攀升,传统电源架构已难以满足高效、紧凑、低成本的设计要求。单级高压直转技术凭借其高效率、小体积和优异的动态响应特性,正逐步成为下一代高性能计算系统中核心供电方案的首选。工程师在选型时应重点关注器件的极限占空比能力、热管理性能及数字接口支持程度,以构建稳定可靠的电源系统。