纳芯微发布NSD2622N：专为E-mode GaN设计的高性能驱动芯片

在当前电力电子领域，氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管因其卓越的开关性能和低损耗特性，正逐渐成为高压大功率应用的理想选择。然而，GaN器件的应用并非毫无挑战，特别是对于增强型GaN（E-mode GaN），其较低的导通阈值电压要求更加精确且稳定的驱动电路设计。针对这一需求，纳芯微推出了专门设计用于E-mode GaN的高压半桥驱动芯片——NSD2622N。代理销售纳芯微旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您介绍NSD2622产品关键参数及应用优势。如需NSD2622N产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

应对E-mode GaN的设计挑战

尽管GaN HEMT在提高电源系统效率方面表现出色，但实际部署时却面临诸多技术难题。特别是在高电压、大电流环境下，若驱动电路设计不当，极易导致误导通现象，严重影响系统的稳定性和安全性。传统的解决方案包括使用集成驱动IC的GaN功率芯片或采用复杂的外部驱动电路，但这两种方法要么缺乏灵活性，要么增加了设计复杂度和成本。

NSD2622N正是为了解决这些问题而生。它集成了正负压稳压电路，并支持自举供电，能够提供稳定可靠的驱动电压，显著简化了GaN驱动电路的设计过程，同时提高了整体系统的可靠性与经济性。

产品特性详解

NSD2622N是一款高度集成化的驱动芯片，专为E-mode GaN量身定制：

集成稳压电路：内置可配置的5V至6.5V正压输出以及固定的-2.5V负压输出，确保了对GaN器件的有效控制。

强大的抗扰能力：具备超过200V/ns的dv/dt抑制能力和高达700V的SW耐压范围，适应苛刻的工作环境。

高效的驱动能力：提供2A/-4A峰值驱动电流，满足高速开关需求。

灵活的供电方式：支持自举供电模式，减少了对外部电源的需求，降低了系统复杂度。

全面保护机制：包含欠压锁定（UVLO）、过温保护等功能，增强了系统的安全性和稳定性。

实际应用中的优势

相比于传统的Si MOSFET驱动方案，NSD2622N提供了更为稳健的驱动电压管理，解决了E-mode GaN常见的误导通问题。通过内置的正负稳压电源，该芯片能够在各种工况下维持稳定的关断负压，避免了因电容放电不稳定而导致的潜在风险。

此外，NSD2622N还大幅简化了外围电路设计，减少了所需元件数量，从而有效降低了系统成本。例如，在3kW PSU应用场景中，采用NSD2622N可以省去复杂的隔离辅助电源设计，直接利用自举供电实现高效能驱动。

结论

随着电力电子行业对更高效率和更小体积的需求不断增长，GaN技术的应用前景广阔。然而，如何有效地驱动这些高性能器件是一个亟待解决的问题。纳芯微推出的NSD2622N不仅解决了这一难题，还为工程师们提供了一个简单、可靠且经济的选择。无论是数据中心电源、车载充电机还是其他高压大功率应用，NSD2622N都能发挥重要作用，助力推动GaN技术的广泛应用和发展。