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英飞凌科技公司推出了采用D²PAK-7L（TO-263-7）封装的第二代CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列。这一新产品系列在第一代技术的基础上进行了显著改进，旨在加快系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。
第二代CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列以D²PAK-7L封装形式推出，型号为IMBG120R034M2H。该系列产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著提升，适用于各种常见的功率变换应用，包括交流-直流、直流-直流和直流-交流转换。如需采购IMBG120R034M2H、申请样片测试、产品规格书等需求，请加客服微信：13310830171。
极低的开关损耗：提高了系统的整体效率。
过载运行温度最高可达200°C：确保在高温环境下仍能稳定运行。
短路耐受时间2µs：增强了系统的可靠性和安全性。
基准栅极阈值电压VGS(th) = 4.2V：提供稳定的开关特性。
抗寄生开通能力强：支持0V栅极关断电压，减少不必要的能量损耗。
坚固的体二极管：适用于硬换流应用。
.XT互联技术：实现同类最佳的散热性能，进一步提高系统的可靠性。
更高的能源效率：通过降低开关损耗，提高系统整体效率。
优化散热：.XT互联技术确保高效的热管理。
更高的功率密度：紧凑的设计使得系统更加小型化。
新的稳健性性能：增强的短路耐受时间和过载运行温度提升了系统的稳定性。
高可靠性：经过严格测试，确保长期稳定运行。
最低RDS(on)：提供市场上最低的导通电阻，提高输出能力。
最精细的产品系列：满足不同应用需求的多样化选择。
过载运行温度最高可达200°C：适应极端工作环境。
强大的短路额定值：确保在异常情况下系统的安全。
雪崩稳健性：提高对瞬态电压的抵抗能力。
电动汽车充电：提高充电效率和可靠性。
组串逆变器：优化光伏系统的能量转换。
光伏优化器：提高光伏系统的整体性能。
在线式UPS/工业UPS：确保关键设备的不间断供电。
通用变频器（GPD）：提高电机驱动系统的效率和可靠性。
英飞凌的第二代CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装产品系列，凭借其卓越的性能和可靠性，为各种功率变换应用提供了先进的解决方案。无论是电动汽车充电、光伏系统还是工业电源管理，这些MOSFET都能显著提高系统的效率、可靠性和功率密度，满足现代电力电子领域的高标准要求。
英飞凌科技近日宣布推出全新的 CoolSiC™ MOSFET 650V G2，其导通电阻仅为7mΩ，采用TO-247和TO-247-4 4引脚封装。这款产品以第1代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效、紧凑和可靠解决方案。CoolSiC™ MOSFET 第2代在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有...【详情+】
英飞凌科技近期推出了全新的CoolSiC™ MOSFET 400V G2系列产品，该产品将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻相结合，显著提升了系统成本效益。400V SiC MOSFET特别适用于2电平和3电平硬开关及软开关拓扑，能够提供卓越的功率密度和系统效率。主要应用领域包括人工智能服务器电源供应...【详情+】
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