瑞萨首发100V E‑mode GaN FET 赋能AI与工业高频电源革新

面对AI算力基础设施、高端工业设备向高频化、高功率密度快速迭代的行业趋势，传统硅MOSFET器件已难以适配兆赫级开关、低损耗、小型化的严苛设计需求。全球半导体方案厂商瑞萨电子正式拓展低压氮化镓（GaN）产品矩阵，推出业界首款100V增强型（E-mode）GaN分立晶体管系列，凭借极致的开关性能与兼容式设计，为AI数据中心、人形机器人、工业自动化、光伏微逆等高端场景提供全新高效功率转换方案。

极致FOM性能突破，大幅降低开关损耗

本次落地的四款全新低压GaN器件（RTP100E005G1FL等系列型号），实现行业领先的软硬开关优值（FOM）表现。相较于市面同类GaN产品，其硬开关FOM最高优化35%，软开关FOM降幅可达63%。依托GaN器件零反向恢复电荷（Qrr=0）的核心特性，彻底消除反向恢复损耗，搭配超低栅极电荷与输出电荷设计，大幅压缩开关周期内电压、电流重叠损耗，可实现40%–70%的开关损耗降幅，相较传统硅方案整体能效提升1%–3%。

适配高频架构迭代，助力系统小型化升级

当前AI服务器、工业电源正加速从数百千赫兹切换至MHz级高频工作模式，800VDC高压直流配电、48V总线架构成为主流趋势。瑞萨100V低压GaN系列精准适配该迭代方向，高频工作特性可大幅缩减磁性元件、无源器件体积，简化电源拓扑结构，降低整机散热压力与BOM成本。在系统层面可实现功率密度翻倍，同时精简热管理架构，减少散热风扇等辅助器件，有效降低设备体积与运维复杂度。

硅器件兼容设计，大幅降低方案迁移门槛

相较于传统GaN方案改造成本高的痛点，该系列器件沿用通用MOSFET标准封装，与现有硅基PCB布局高度兼容，厂商无需大规模改版硬件即可完成从硅MOSFET到GaN高性能方案的快速迁移。产品导通电阻覆盖1.2mΩ–5mΩ宽范围区间，搭配底部、双面散热双架构设计，适配同步整流、多相降压、电机驱动等多场景、多功率等级设计需求，设计灵活性大幅提升。

成熟生态配套，加速产品量产落地

瑞萨低压GaN系列已完成生态闭环搭建，配套评估板同步上市，可助力工程师快速完成方案验证与调试。同时，该系列器件可无缝适配瑞萨6kW 800V转48V DCX LLC、工业DC伺服等成熟电源参考设计，依托经过量产验证的系统架构，降低客户研发风险、缩短产品上市周期。

瑞萨电子低压GaN业务高级总监Akhil Nair表示，新一代电力电子设备追求高效、紧凑、低功耗的综合体验，该系列低压GaN器件兼顾极致性能与低成本迁移优势，可全面赋能AI算力、工业自动化、新能源设备的能效升级，助力行业实现低碳节能的可持续发展目标。

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