安森美发布十年技术路线 三大平台攻克功率密度难题，赋能物理 AI 发展

近日，安森美（onsemi）总裁兼首席执行官 Hassane El-Khoury 在投资者日活动上，对外披露公司面向未来十年的技术发展蓝图，将功率瓶颈视作制约人工智能、电气化与自动化产业进一步发展的核心矛盾。伴随多终端市场底层技术需求趋同，安森美依托智能电源与感知领域差异化产品矩阵，针对性解决前沿应用带来的各类工程设计难题。

“每一项变革性技术最终都会遇到物理层面的限制。随着 AI、电气化和自动化不断加速发展，功率密度正成为本十年最关键的工程挑战之一。引领下一轮创新浪潮的企业，将是那些能够在更小占位空间内提供更多电力的企业。”Hassane El-Khoury 表示。

汽车、工业、AI 数据中心等应用场景以往被视作相互独立赛道，但各领域正在共享同一套底层核心能力，包含高效电能变换、环境感知、边缘智能与通信互联。市场融合趋势，让安森美的技术平台具备跨行业复用能力。面向汽车电气化研发的高压器件技术，可直接迁移至工业能源设备与 AI 数据中心；感知与通信技术，同样能够赋能整车、工厂自动化、人形机器人、医疗设备等自主系统。 对下游客户而言，通用技术平台大幅降低开发门槛，无需针对不同产品从零搭建技术体系。从单独采购分立器件，升级为采用整套系统解决方案，有效缩减硬件设计难度，缩短项目从研发到量产的周期。

功率密度，是当前 AI 基础设施与各类智能系统最核心的技术瓶颈。简单来说，就是在更小体积、更低能耗前提下，实现更强的系统性能。提升功率密度需要电气、热管理、机械结构协同优化。功率提升会带来发热增加，小型化方案又加剧散热压力；追求更高效率，往往需要新材料、新器件架构与集成方案。过去工程师只能在功率、体积、成本、散热之间取舍，仅依靠单颗器件优化已经无法突破极限，必须从系统层面统筹多维度性能设计。

安森美推出三大核心技术平台，从器件、智能、集成三个维度破解功率密度难题。 高压技术平台，立足器件底层，覆盖硅、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）多种功率半导体技术，供客户按需选型，平衡效率、功率密度与成本。其中垂直氮化镓 vGaN 是安森美特色技术，面向下一代高压场景，在传统电源技术逼近极限时，进一步提升转换效率、优化开关特性、缩减整机体积。 Treo™平台聚焦智能层，在电能转换之外，赋予电源系统状态监测、总线通信、动态负载调节与实时保护能力。依托高精度模拟、高密度数字电路与高压技术，实现电源系统自适应、高自主运行，在功率器件上叠加丰富智能功能，提升整套系统附加值。 嵌入式电源平台（EPP）主攻集成层，直接以硅晶圆作为封装基底，在晶圆级架构中实现硅、SiC、GaN 器件一体化集成互连。FET、驱动、控制器等芯片封装为一体，电气、热、机械性能同步优化，开发者在项目早期即可完成多维度仿真评估，提升功率密度，简化开发，加速产品上市。

当前 AI 产业投入重心集中在云端算力基础设施，而行业下一阶段增长点落在边缘物理 AI。智能能力将从数据中心下沉至各类实体设备，物理 AI 系统需要实时、安全完成感知、决策、执行，离不开供电、感知、控制与互联计算四大能力。安森美面向汽车、工业领域沉淀的成熟技术，可复用于物理 AI 场景，依托全栈系统优化能力打造差异化方案，挖掘物理 AI 市场价值。

Hassane El-Khoury 提到，未来十年大量机遇来源于各应用市场的技术融合，高效供电、感知、智能决策将定义新一代智能装备。安森美三大技术平台从器件、智能、集成层面攻克功率密度挑战，持续提升半导体方案在客户整机系统中的价值占比。