ST 推出全新 GaN 评估板，加速氮化镓电机驱动落地

意法半导体正式发布 EVLGANSPIN2‑3PH 评估板，配套 GANSPIN612 氮化镓电机驱动芯片，帮助开发者快速完成概念验证。该评估板与 GANSPIN611 对应的 EVLGANSPIN1‑3PH 形成产品组合，补齐了 ST GaN 电机驱动开发生态。两款 GANSPIN 集成 GaN 功率管与高压栅驱，面向严苛工况，助力电机系统实现小型化与能效升级。

电机驱动能效升级面临多重现实阻碍

家电、工业电机场景对能效、体积的约束正在持续加码。吹风机、冰箱压缩机、循环水泵等设备中，电机驱动电路板紧邻各类热源，热管理压力突出。叠加日趋严格的能效法规，厂商迫切希望缩减散热器体积、压缩 PCB 面积，实现降本增效。

电路拓扑优化、算法调优可以挖掘部分效率潜力，但材料才是性能突破的核心。硅材料受限于物理特性，在高频开关场景存在固有短板。而氮化镓作为宽禁带材料，拥有更宽禁带宽度与更高电子迁移率，为电机驱动带来性能提升空间。

不过 GaN 器件落地并非简单替换硅管。高速开关带来更高瞬态电压，电磁干扰问题加剧；电感负载下反向导通压降偏高，通用栅极驱动器难以适配该工况。这也是 GaN 在快充领域广泛应用，却迟迟难以大规模进入电机驱动市场的关键原因，需要专用集成器件解决配套难题。

GANSPIN 系列：半桥集成 GaN 驱动方案

GANSPIN611 与 GANSPIN612 是 ST 面向电机控制推出的集成化 GaN 半桥芯片，内部集成两颗 GaN 功率晶体管。二者硬件封装、栅极驱动架构完全一致，差异集中在导通电阻与电流能力：GANSPIN611 Rds (on) 为 138mΩ，最大电流 10A，支持最高 400W；GANSPIN612 Rds (on) 为 270mΩ，最大电流 5.5A，适配约 300W 应用。引脚与封装兼容，设计项目中可直接按需切换型号，大幅降低改板工作量。

器件支持外部调节 dV/dt 电压变化斜率，典型换相速率可达 10V/ns。通过对开关斜率配置，工程师能够在效率与 EMI 之间做权衡。对比传统硅基方案，在百瓦级功率应用中可省去外部散热器，实现整机小型化。

评估板与软件套件，简化开发验证

EVLGANSPIN1‑3PH、EVLGANSPIN2‑3PH 两款评估板分别对应两颗芯片，板载 STM32G431RB 主控，采用三路 GANSPIN 搭建三相逆变器，支持三电阻采样 FOC 磁场定向控制，板上集成 EMI 滤波，出厂已完成 dV/dt 参数调优。

评估板支持 100‑230V 交流市电输入，可直接对接有传感器或无传感器电机。搭配 ST 电机控制软件开发套件 MCSDK‑PKG，开发者能够快速调试算法，完成原型验证，缩短 GaN 电机驱动产品从概念到量产的开发周期。

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