圣邦微SGM25890：面向AI算力的高性能90A DrMOS技术解析 附典型应用电路图及引脚图

随着AI大模型与高性能计算的爆发式增长，电源设计正经历从“稳定供电”到“极致能效”的根本性变革。作为支撑CPU、GPU及GPGPU等高算力芯片的核心组件，DrMOS（集成驱动级MOSFET）的技术演进至关重要。圣邦微电子推出的SGM25890是一款最大电流能力达90A的高性能功率级DrMOS，专为满足AI服务器、边缘计算及传统计算市场日益严苛的低压大电流供电需求而生。

核心参数与技术特性

SGM25890采用先进的多Die合封（Co-Packaged）技术，将Buck电路的上管、下管与驱动控制电路高度集成，在紧凑的TQFN-5×6-39L绿色封装内实现了卓越的功率密度。其关键技术指标如下：

宽电压与超大电流输出：功率输入电压范围为4.25V至16V（典型12V母线应用），驱动供电（VCC/VDRV）范围为4.5V至5.5V。单颗芯片可连续输出90A电流，配合16相数字控制器可支持高达720A的连续负载与1000A的峰值电流，完美适配新一代处理器的供电规格。

极致的能效与开关性能：基于圣邦微自研的SGT-MOS工艺，通过合理的上下管面积分配以及极致的死区时间与驱动速度优化，SGM25890在12V转低压大电流场景下具备出色的效率表现。短路径的内部连接有效减小了开关振铃，支持高达2MHz的开关频率，显著降低了系统的热损耗。

高精度信号检测与上报：芯片内置了高精度的瞬时电流检测（IMON）与温度上报（TMON）功能。IMON采用先进的电流镜方案，以5μA/A的比例将内部电流信息反馈给多相控制器，配合Load-Line应用可实现精准的电压调节；TMON则提供8mV/℃的线性温度反馈，便于系统进行实时的热管理。

完善的故障保护机制：支持逐周期过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、上管短路检测（HSS）以及VDRV欠压锁定（UVLO）。当触发故障时，芯片能通过TMON与IMON引脚输出特定的电平组合，向多相控制器上报具体的故障类型，极大提升了系统的可靠性与可维护性。

SGM25890典型应用电路图

SGM25890引脚图

应用领域

AI与高性能计算：AI服务器、数据中心GPU/CPU核心供电、GPGPU加速卡。

通信与网络：高端交换机、路由器及5G基站的分布式电源系统（POL）。

通用计算：台式机、笔记本电脑及工作站的VRM模块、DDR内存供电。

工程师使用注意事项

在实际电源系统设计与调试中，为了充分发挥SGM25890的性能并确保长期稳定运行，需重点关注以下细节：

IMON电流检测与Load-Line调试：SGM25890的IMON引脚输出电压范围为0.8V至2.35V。为了获得最佳的电流检测线性度与精度，建议将多相控制器的参考电压（IREF）设置在1.1V至1.9V之间。在配置Load-Line（负载线）功能时，需结合5μA/A的转换比例精准计算反馈电阻，以确保在大电流负载阶跃下输出电压的跌落符合Intel VRM或厂商规范。

PCB布局与散热设计：90A的持续电流对PCB走线和散热提出了极高要求。建议在VIN、VOUT及GND引脚处采用多层铺铜并打满散热过孔（Thermal Vias），以最大限度降低寄生电感并提升散热效率。输入电容应尽量靠近芯片的VIN与PGND引脚放置，以减小高频开关回路面积，降低EMI干扰和电压尖峰。

故障诊断与保护配置：SGM25890具备独特的故障上报机制。工程师在调试阶段应仔细查阅数据手册中TMON与IMON引脚在不同故障状态下的电平组合表（如OTP、OCP、HSS等）。当系统触发保护时，通过读取这两个引脚的电压状态，可以快速定位故障根源，从而大幅缩短开发与排障周期。

驱动供电与PWM信号完整性：VDRV供电电压需严格控制在4.5V至5.5V范围内，并配置低ESR的去耦电容以保证驱动能力的稳定性。此外，芯片支持3.3V三态PWM输入，在PCB布线时应将PWM信号线远离功率开关节点（SW），防止高频噪声耦合导致误触发或时序异常。

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