HIP2211 半桥 NMOS FET 驱动器技术解析 附引脚图及原理图

HIP2211 作为 瑞萨电子的一款100V 级高频半桥 NMOS FET 驱动器，具备 3A 源电流、4A 灌电流驱动能力，适用于高频开关场景，瑞萨电子代理商-中芯巨能将从电气特性、兼容性、封装及应用设计维度，为工程师提供技术参考；并且附引脚图及原理图。

一、核心电气参数与高频性能

HIP2211 关键参数适配高频半桥应用需求：电压规格上，支持 100V 半桥拓扑，直流自举电源最大电压达 115V，可稳定驱动高低侧 NMOS；工作电压范围宽至 6V-18V，兼容多类系统供电设计。驱动能力方面，3A 源极、4A 灌极输出，配合 0.5Ω（典型值）集成自举二极管，能快速为高侧 NMOS 栅极充电，减少开关损耗。

高频性能是核心优势：传播延迟典型值仅 15ns，延迟匹配度达 2ns（典型值），可降低开关时序偏差导致的桥臂直通风险；同时，输入端宽滞后设计与 HS 引脚 - 10V 连续耐压能力，提升系统抗噪声干扰性能，适配复杂电磁环境下的稳定运行。

二、兼容性与封装选择

兼容性设计降低替换成本：HIP2211 采用标准 HI/LI 输入接口，与瑞萨 HIP2101、ISL2111 在 8 引脚 SOIC、8 引脚 4×4mm DFN、10 引脚 4×4mm TDFN 封装上完全 pin 兼容，可直接替代上述型号，无需修改 PCB 布局，缩短项目迭代周期。

封装选项满足不同设计需求：8L SOIC 封装适配传统通孔与贴片工艺，4×4mm DFN/TDFN 封装则适合高密度布局场景，能减少 PCB 占位面积，尤其适配小型化电机驱动器、DC/DC 转换器设计。

三、保护机制与逻辑兼容性

内置多重保护提升系统可靠性：VDD 与自举电源欠压锁定（UVLO）功能，可在供电电压低于阈值时关断驱动输出，防止 NMOS 因栅极电压不足导致的导通损耗异常；过流、过温保护（需外围配合）进一步规避极端工况下的器件损坏风险。

逻辑兼容性适配多电平系统：HI/LI 输入支持 3.3V 逻辑电平，且具备 VDD 电压容差特性，无需额外电平转换电路，可直接与 3.3V MCU 或 PWM 控制器接口，简化外围设计。

四、典型应用场景与设计要点

该驱动器广泛用于四类场景：一是电信领域半桥 / 全桥 DC/DC 转换器，利用高频性能提升电源转换效率；二是三相 BLDC 电机驱动器与 H 桥电机驱动器，通过精准时序控制实现电机平稳调速；三是双开关正向、有源钳位转换器，降低开关应力；四是多相 PWM DC/DC 控制器与 D 类放大器，适配大电流供电与音频放大需求。

工程师设计时需注意：自举电容选型需匹配开关频率，确保高侧栅极充分充电；布局时需缩短 HS 引脚走线，减少寄生电感，避免负压尖峰损坏器件；同时根据负载电流选择合适的 NMOS，确保驱动能力与开关特性匹配。

五、HIP2211引脚图

六、HIP2211原理图

七、订购料号

HIP2211FBZ-T

HIP2211FR8Z

HIP2211FR8Z-T

HIP2211FRTZ

HIP2211FRTZ-T

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