MPS HF1070：1700V SiC 反激控制器破解高压辅电设计难题 附典型应用电路图

AI 数据中心、工业自动化与新能源基础设施持续升级，电源设计向着高功率密度、高效率、高可靠方向演进。AI 服务器大规模落地 800V 高压直流母线，工业变频器、三相智能电表同样存在高压供电需求。高压化趋势下，辅助电源面临输入电压提升、PCB 空间受限双重约束。传统分立高压方案需要大量高压器件，BOM 物料多、开发周期长，在宽电压工况下容易出现温升超标、EMI 调试困难、器件裕量不足等问题，成为高压隔离辅助电源开发的普遍瓶颈。

针对行业工程痛点，MPS 推出新一代高压离线电源芯片 HF1070，一款集成 1700V SiC 的反激控制器，一站式解决高压隔离辅电多项技术难题，降低研发难度，缩短产品落地周期。

高压辅助电源开发主要存在四大工程难题：母线电压抬升造成器件电压裕量紧张；高压开关损耗大，温升与散热难以平衡；dv/dt 噪声带来严重共模干扰，EMI 调试耗时；各类故障保护需要大量外围器件搭建，BOM 繁杂。HF1070 从芯片架构层面针对性解决上述痛点。

HF1070 采用 SOIC‑14‑9L 封装，内部集成 1700V SiC 功率管与 1200V 高压电流源启动电路。方案省去外部高压 MOS 与独立高压启动器件，精简外围元器件，简化 PCB 布局。1700V 耐压为 800~1000V 母线预留充足余量，降低高压击穿风险；Rds (on) 仅 1.2Ω，支持 25~40W 功率输出，兼容 DC30V~1080V 超宽输入，支持交直流双输入，适配多类高压母线场景。

芯片采用 QR+CCM 混合控制架构，可依据输入电压自适应切换工作模式。低压区间可灵活切换 CCM/QR，降低损耗与发热，提升转换效率；高压区间强制 QR 谷底开通，抑制短路、启动阶段的器件应力，减少开关损耗。实测 850V 输入、25℃环境下，芯片结温约 84℃，温升控制优异，助力紧凑型电源设计。

驱动速度支持外部引脚配置，工程师可按需调节开关上升、下降速率，无需大量增加 RC 吸收网络与磁珠，在开关损耗与 EMC 性能之间取得平衡，大幅缩短 EMI 调试周期。同时芯片内置全套可配置保护机制，包含原边 ZCD-OVP 过压保护（光耦失效仍可生效）、过载、短路、过温、VCC 过压欠压保护，输入电压阈值支持外部调整，ADJ 引脚支持芯片使能控制，无需额外外围电路搭建保护逻辑，提升高压系统故障安全性。

HF1070 拥有三大核心应用场景：800V HVDC AI 服务器辅助电源、工业变频器与储能变流器内置隔离辅电、三相智能电表电源。

HF1070典型应用电路图

高压辅助电源的竞争，早已不局限于耐压参数比拼，而是温升、EMI、可靠性、BOM 成本等综合工程能力的较量。HF1070 单芯片 SiC 集成方案替代多器件分立架构，大幅降低高压电源开发门槛，助力工程师快速实现高效率、高可靠的高压隔离辅助电源设计。

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