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8月12日MICROCHIP(美国微芯)N沟道场效应管前10热门型号汇总

来源:中芯巨能| 发布日期:2023-08-12 10:36:10 浏览量:

前言:美国微芯(Microchip)是一家专注于半导体解决方案的公司,其场效应管产品在市场上备受青睐。这些产品具有多种特性,例如低电阻、高电流、高速开关和高温度容忍度等。它们被广泛应用于各种领域,如电源管理、马达控制、照明和无线通信等。此外,美国微芯的场效应管产品还具有低成本和高可靠性的优点,因此被广泛用于工业、汽车和消费电子等领域。总之,美国微芯的场效应管产品是半导体行业中备受信赖的解决方案之一。

8月12日MICROCHIP(美国微芯)场效应管前10热门型号具体如下:

1、DN3545N8-G:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):450V 连续漏极电流(Id):200mA 功率(Pd):1.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20Ω@150mA,0V;封装:SOT-89-3。

2、DN3545N8-G:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):450V 连续漏极电流(Id):200mA 功率(Pd):1.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20Ω@150mA,0V;封装:SOT-89-3。

3、DN3545N8-G:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):450V 连续漏极电流(Id):200mA 功率(Pd):1.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20Ω@150mA,0V;封装:SOT-89-3。

4、DN3545N8-G:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):450V 连续漏极电流(Id):200mA 功率(Pd):1.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20Ω@150mA,0V;封装:SOT-89-3。

5、DN2540N3-G:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):120mA 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25Ω@0V,120mA;封装:TO-92-3。

6、DN2540N3-G:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):120mA 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25Ω@0V,120mA;封装:TO-92-3。

7、DN2540N3-G:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):120mA 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25Ω@0V,120mA;封装:TO-92-3。

8、DN2540N3-G:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):120mA 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25Ω@0V,120mA;封装:TO-92-3。

9、DN2540N3-G:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):120mA 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25Ω@0V,120mA;封装:TO-92-3。

10、VP2206N3-G:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):640mA 功率(Pd):740mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@3.5A,10V;封装:TO-92-3。

以上就是8月12日MICROCHIP(美国微芯)场效应管前10热门型号汇总,如果您需要了解以上产品手册和价格,请联系我们客服,客服微信:13310830171。


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