16年IC行业代理分销 覆盖全球300+品牌
现货库存,2小时发货,提供寄样和解决方案
24小时服务热线:
0755-82539998
中芯首页
数字电路
微控制器
数字信号处理器
存储芯片
显示驱动
计数器
缓冲器/驱动器/收发器
逻辑电路
移位寄存器
锁存器
SoC
模拟电路
运算放大器
比较器
射频芯片
栅极驱动IC
电源管理芯片
音频接口芯片
模拟开关
电信接口IC
ADC/DAC-专用型
电源开关
功率器件
场效应管
二极管
MOS管
肖特基二极管
三极管
IGBT
达林顿晶体管阵列
传感器
光电器件
光耦合器
国产芯片
进口芯片
芯片选型
芯片选型表
芯片选型指南
芯片国产替代
应用领域
工业控制
汽车电子
网络通信
新能源
电力电气
医疗健康
智能家居
消费电子
音频视频
方案开发
工业控制
消费电子
音频视频
智能家居
新能源
电力电气
汽车电子
网络通信
医疗健康
新闻资讯
行业资讯
公司动态
百科大全
常见问题
技术文档
开发工具
关于我们
关于中芯
企业风采
技术支持
联系我们
在线留言
产品
新闻
热搜关键词:
您当前的位置:
首页
>
新闻资讯
>
百科大全
新闻资讯
行业资讯
公司动态
百科大全
常见问题
技术文档
开发工具
推荐产品
EPM240T100I5N Intel/Altera 可编程逻辑器件
5M240ZT100C5N Intel/Altera 可编程逻辑器件
PCM1860DBTR TI德州仪器 ADC/DAC
LMV358IDR TI德州仪器 运算放大器
DS90LV011ATMFX/NOPB TI德州仪器
全国服务热线
0755-82539998
高功率GaN FET有哪些典型应用场景?
发布时间:2026-03-17
氮化镓(GaN)场效应晶体管凭借高开关频率、低导通损耗和高功率密度,正从消费电子快充快速扩展至工业、能源与交通等高功率领域。所谓“高功率GaN FET”,通常指650V及以上耐压、支持数百瓦至数十千瓦输出的器件。其应用场景可细分为以下几类:1. ...
如何评估GaN FET的可靠性指标?
发布时间:2026-03-14
氮化镓(GaN)场效应晶体管因其高开关频率、低导通电阻和高功率密度,正快速取代硅基器件在快充、服务器电源和光伏逆变器等领域的应用。然而,作为新兴宽禁带半导体,其长期可靠性仍是工程师关注焦点。评估GaN FET可靠性需从以下多维度综合考量:1. ...
同步整流与异步整流有何本质区别?
发布时间:2026-03-13
在开关电源(如Buck、Boost、反激变换器)中,整流环节将交流或脉动电压转换为直流。传统采用二极管的“异步整流”正逐渐被MOSFET替代的“同步整流”所取代。二者在效率、成本与控制复杂度上存在根本差异。1. 器件结构与工作原理异步整流:使用肖...
如何选择适合的GaN FET封装类型?
发布时间:2026-03-13
氮化镓(GaN)FET凭借高开关频率、低导通损耗和高功率密度,正广泛应用于快充、服务器电源及光伏逆变器。然而,其封装不仅影响电气性能,更直接决定热管理能力、EMI表现与制造可靠性。选型需综合以下关键因素:1. 按集成度区分:分立式 vs 集成驱动IC分...
SOT与LFPAK封装有何核心区别?
发布时间:2026-03-13
在功率MOSFET选型中,SOT(Small Outline Transistor)和LFPAK(Leadless Flat Package)是两类常见但定位迥异的封装。前者以小型化、低成本见长,后者则专为中高功率应用优化。理解其差异对电源效率、热管理和可靠性至关重要。1. 封装结构与引脚设计...
热约束如何影响MOSFET封装选型?
发布时间:2026-03-12
在高密度电源、电机驱动和快充等应用中,MOSFET的功耗虽小,但因芯片尺寸微缩,局部功率密度极高,导致结温迅速上升。若散热不足,不仅效率下降,还可能触发热关断甚至永久损坏。因此,热约束往往是MOSFET封装选型的决定性因素,远超电气参数本身。1. 热...
哪些因素决定MOSFET的最佳封装尺寸?
发布时间:2026-03-12
在电源、电机驱动和便携设备设计中,MOSFET的封装尺寸不仅影响电路性能,还直接关联散热能力、PCB面积、制造成本与系统可靠性。选择“最小”或“最大”封装并非最优策略,而应基于以下核心因素进行综合权衡。1. 功耗与热管理需求封装尺寸首要由...
TP70H480G4ZS (瑞萨电子功率器件)中文参数详解 附引脚图
发布时间:2026-03-11
在30W至200W功率段的AC/DC和DC/DC转换应用中,对高效率、小体积与系统成本的综合优化需求日益突出。瑞萨电子推出的 TP70H480G4ZS (订购料号:TP70H480G4ZS-TR)是一款基于第四代 SuperGaN® 平台 的700V常关型氮化镓(GaN)场效应晶体管,采用 DPAK(TO-...
瑞萨电子低功率(<300W)高电压GaN FET选型指南
发布时间:2026-03-10
在快充适配器、小型服务器电源、工业辅助电源及光伏微型逆变器等低功率(<300W)应用中,氮化镓(GaN)器件凭借高频、高效与高功率密度优势,正加速替代传统硅基MOSFET。瑞萨电子基于其第四代 SuperGaN®平台,推出一系列650V与700V常关型GaN FET,覆盖15...
高压IBC中的半导体技术与关键评估指标
发布时间:2026-03-10
随着云计算和数据中心对电力传输效率的要求日益提高,供电架构正朝着更高电压的方向演进。特别是在数据中心内部,高压直流配电系统逐渐普及,通过高压IBC(Intermediate Bus Converter)将800V直流母线电压降至50V或12V,为下游负载供电。本文将深入...
1
2
3
4
5
>
>>
电话
申请样品
留言
咨询