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三星电子最近宣布成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这也是三星目前容量最大的HBM产品。公司已开始向客户提供HBM3E 12H样品，计划于今年下半年开始大规模量产。
据介绍，三星HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，产品容量达到36GB。相较于三星8层堆叠的HBM3 8H，HBM3E 12H在带宽和容量上提升超过50%。预计在人工智能应用中，HBM3E 12H可使人工智能训练平均速度提升34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。
HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜(TC NCF)技术，确保12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的需求。据悉，HBM3E 12H产品的垂直密度比HBM3 8H产品提高了20%以上。
三星电子存储器产品企划团队执行副总裁Yongcheol Bae表示，当前人工智能服务供应商对更高容量的HBM需求日益增长，新产品HBM3E 12H正是为满足这需求而设计。这一新的存储解决方案展示了公司在多层堆叠HBM核心技术研发方面的努力，为高容量HBM市场在人工智能时代提供技术领导力。
最新报道显示，英伟达计划从今年9月开始大规模采购三星电子生产的12层HBM3E内存，后者将独家向英伟达供应这一创新产品。在最近举行的GTC 2024大会上，英伟达公司的首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）甚至在三星电子的12层HBM3E实物产品上签下了“黄仁勋认证（Jensen Approved）”的名字。与...【详情+】
2024 年 3 月 15 日，Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布，三星 Galaxy S24 系列的部分设备已搭载美光低功耗 LPDDR5X 内存和 UFS 4.0 移动闪存存储，为全球手机用户带来强大的人工智能（AI）体验。这一合作为智能手机用户带来了更出色的边缘人工智...【详情+】
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